2013-09-26
Micron 2GB混合式内存立方樣品付運
明年底將量產 2GB和 4GB HMC設備
文: Jack Choi / 新聞中心

Micron 26 日宣佈 2GB 混合式内存立方 (HMC) 工程樣品正式付運,為全球首款供客戶分享的 HMC 設備,專為資料包處理、資料包緩衝或存儲以及計算應用程式等需要高頻寬記憶體應用而設。 Micron 預期 2014 年初推出 4GB HMC 工程樣品, 2014 年底批量生產 2GB 和 4GB HMC 設備,並將於三至五年內將下一代 HMC 遷移到消費類應用中。

 

混合式内存立方 (HMC) 採用直通矽晶穿孔技術 ( TSV) , 利用垂直管道電連接一個獨立的晶片堆疊, 將高性能邏輯和 DRAM 結合 , Micron 的 HMC 具有一個容量為 2GB 的存儲立方, 由四片容量為 4GB 的 DRAM 堆疊而成,可提供高達 160GB/ 秒的記憶體頻寬,而且每位元組能耗卻比現有技術減少 70% 以上。

 

HMC 能夠讓記憶體抽象化,設計者可投入更多時間利用 HMC 減少花在實現基本功能所需的眾多記憶體參數上的時間,而且 HMC 更提供管理糾錯、 恢復 、 刷新和被記憶體處理變化加激的其他參數。

 

據 Micron DRAM 解 決 方 案 集 團 副 總 裁 Brian Shirley 表示,系統設計師正尋找可支援不斷增長的頻寬、 密度和能效需求的新型記憶體系統, HMC 的推出代表了記憶體性能的新標準,而且也是業界一直期待的突破口。

 

HMC

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