2013-11-25
美日企業聯手研發次世代記憶體規格
磁阻隨機存取 MRAM預計2018年量產
文: Spike Lam / 新聞中心

業界正在研發一種全新的記憶體技術取代沿用的 DRAM ,採用磁阻隨機存取原理的 MRAM , Everspin  Technologies 日前展示了 4MB 的 MRAM 工程樣本,代號為EV2A16AMRAM 顆粒,設計相容 SRAM 顆粒因此現有使用 SRAM 控制器的裝置無需重新設計,即可改用 MRAM 顆粒。

 

現時美日兩國多家企業正在聯手組織研發團隊,包括 Micron 、 Tokyo Electron 、 Shin-Etsu Chemical 、 Renesas Electronics 、 Hitachi 等半導體公司,研發團隊將於遠藤哲夫教授領導,預計明年 2 月開始研發工作。

 

MRAM 與 DRAM 不同, DRAM 主要是電荷或電流記錄資料, MRAM 則採用了磁存儲,斷電並不會令資料遺失,功率消耗僅為 DRAM 的 1/3 ,但容量和寫入速度都可以達到 DRAM 的 10 倍,將有助下一代 Smart Phone 、 Tablet 產品提升電池續航力,提升記憶體容量和速度。

 

由於產品仍在研究階段,距離待商業化仍有一段距離,預計 MRAM 要到 2018 年才有機會作功量產。

 

Fab

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