2013-12-31
效能獲得倍升而且更加省電
Samsung推首顆8Gb LPDDR4顆粒
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 30 日宣佈推出全球第一顆 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒,採用 2xnm 製程,可以在單一晶片中提供 1GB 容量,是業界目前最大容量產品,並可在四顆晶片封裝達到 4GB 總容量,預期將於 2014 年開始量產。

 

8Gb LPDDR4 記憶體顆粒採用低電壓 LVSTL I/O 介面,是 Samsung 與 JEDEC 合作製定的 LPDDR4 中的其中一項規範,能夠支援達 3200 Mbps 的傳輸率,比較現時 2xnm LPDDR 顆粒支援的 1600 擁有倍增長。

 

此外,據 Samsung 表示,全新的 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒額定電壓爲 1.1V ,比較 LPDDR3 更省電,而且性能將比 LPDDR3 、 DDR3 高出 50% 。由於 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒明年開始量產,相信稍後時間便有機會應用到新一代智能手機之中。

LPDDR4

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