2014-01-02
SK Hynix也發表LPDDR4記憶體顆粒
預期年底開始應用、2016年成主流
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Hynix

繼 Samaung 上週宣佈推出全球首款單顆 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒後, SK Hynix 也於 30 日於其官方網站宣佈正式推出採用 2x nm 製程技術開發的 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒,為代行動記憶體配置提供超高速和低功耗效能表現。

 

SK Hynix 與 Samsung 推出的 LPDDR4 記憶體顆粒同樣支援達 3200Mbps 傳輸速率,比較現時的 1600Mbps 快兩倍,而且支援在 1.1V 超低電壓中運行,比較 LPDDR3 的 1.2V 更低。

 

據 SK Hynix 表示,目前已計劃將於明年下半年開始大規模生產,同時也會加強與客戶在行動 DRAM 的標準化合作,並將進一步鞏固其在移動領域的競爭力,以及高密度,超高速,低功耗產品的發展。而早前, SK Hynix 亦已率先發表了 8Gb 和 6Gb LPDDR3 。

 

同時, SK Hynix 也指出新介面的 LPDDR4 記憶體期將於 2014 年底開始加載到旗艦級行動設備之中,並於 2015 年開始陸續應用到主流產品之內至 2016 年成為主流配置。

 

SK Hynix LPDDR4

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