2014-02-26
混合記憶體立方體HMC規範推出第二版
速度提升一倍 並實現HMC與SoC結合
文: John Lam / 新聞中心

混合記憶體立方體聯盟 HMCC 25 日宣佈,正式通過了 HMC 混合記憶體立方体的第一個技術規範,現時短距傳輸速度亦由最初 10 Gb/s 、 12.5 Gb/s 和 15 Gb/s 提高到 30 Gb/s ,至今聯盟的成員已增至 120 家企業,現時將會進行第二代技術規範工作, HMCC 期望 HMC 混合記憶體立方体將可成為未來記憶體的新標準。

 

HMCC 是由 Micron Technology 、 Samsung Electronics 及 SK hynix 等記憶體供應商所創立,為開發混合記憶體立方體進行規範,第一代規範於 2013 年 4 月發表,並綜合了各其他成員意見,計劃於 2014 年 5 月推出第二代規範,目前已有 Altera 、 Xilinx 、 和 Open-Silicon 等公司開始採用 HMC 記憶體技術。

 

據了解, HMC 第二代規範將有效令 UltraScale FPGA 架構性能進一步提升,提供需要高頻寬的運算應用市場,相較上代資料傳輸速率提高一倍,同時第二代產品將採用 20nm 甚至 14nm FPGA 制程,並實現結合於 SoC 晶片之中,其實 HMC 早於第一版規範中提供開發評估,展示 HMC 設備和 FPGA 之間的互通性。

 

此外, HMCC 採用了先進的矽穿孔 (TSV) 技術,其通過垂直導管將一組單獨的晶片在電氣性相連接,以將高性能邏輯電路與動態隨機存取記憶體 (DRAM) 模具相結合。 Micron 正在提供第一款商用 HMC 產品的樣品,該產品密度為 2GB ,存儲頻寬達空前的 160GB/s ,而每比特能耗比現有技術少 70% ,這大幅度地降低了客戶的擁有總成本。

 

DRAM 的性能改進率和處理器資料消耗率之間的差距不斷地增大,而 HMC 已被行業領袖和有影響人士視為解決該問題期盼已久的答案。 HMC 的性能代表著其性能、封裝和能效等方面遠超於當前和近期的記憶體架構,與現有的記憶體技術有巨大的差別。

 

HMC 成為開放介面標準,成員包括了 Micron Technology, Inc. 、 Samsung Electronics Co., Ltd. 、 Altera Corporation 、 ARM 、 IBM 、 Microsoft Corporation 、 Open-Silicon, Inc. 、 SK hynix, Inc. 和 Xilinx, Inc 等主要 IT 業界巨頭,業界 HMC 能否成為未來記憶體的次世代標準感到樂觀。

 

IDF2011
HMC 記憶體立方體的初型,首次展示已擁有 50GB/S 的傳輸速度

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