2014-03-11
採用浸入式ArF光刻技術
Samsung 推出20nm 4Gb DDR3顆粒
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung Electronics 11 日宣佈推出採用 20nm 程製的 4Gb DDR3 記憶體顆粒,利用浸入式 ArF 光刻技術,配合改進的雙圖案化和原子層沉積,每個單元由一個電容和一個電晶體相互連接,而且相比前面 25nm 或 30nm 提高了生產效率。

 

據 Samsung 表示,全新的 20nm 4Gb DDR3 顆粒模塊創建單元電容的超薄介電層以達到更均勻,進而提升電池性能,可以比較 25nm 顆粒節省相當於所消耗能量的 25% ,而且其生產效能可提升 30% ,比較 30nm 級別程製的生產效率更高於 2 倍。

 

據內存銷售和營銷執行副總裁 Young-Hyun Jun 表示,新型高效節能的 20 nm DDR3 DRAM 將迅速在整個 IT 產業擴大其市場基礎,包括 PC 和移動市場,快速移動到主流地位。 Samsung 將繼續提供下一代 DRAM 和綠色存儲解決方案在競爭中領先,同時促進了全球 IT 市場中與主要客戶密切合作的發展。

 

同時,修飾雙重圖形技術標誌著一個新的里程碑,通過啟用 20nm 的 DDR3 的生產, Samsung 也正為下一代 10nm 級別 DRAM 的生產作出準備。而目前,據市場調查機構 Gartner 的市場研究數據指出,全球 DRAM 記憶體市場總值將由 2013 年 356 億美元,增長至 2014 年的 379 億美元。

 

20nm 4Gb DDR3

分享到:
發表評論
本篇文章被 12220 人閱讀,共有 個評論