2014-08-08
SiliconMotion推出TLC SSD控制晶片
寫入次數提高3倍 性能可足媲MLC產品
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 半導體

SiliconMotion 8 日宣佈推出全球首款優化 TLC NAND Flash 靭體的 SSD 控制晶片「 SM2256 」,其獨有 NANDXtend 解錯修正技術可望提升 TLC NAND Flash 之寫入及抺除次數提高 3 倍,早前已美國 Flash Memory Summit 大會上,更展出了首款基於「 SM2256 」的 SATA Gen3 SSD 原型,達成 524MB Read 、 400MB Write 的驚異連續讀寫性能, Random Read 更高達 90,000 IOPS 。

 

據了解, Silicon Motion SM2256 控制晶 1 片可支援 1x/1y/1z nm 及未來 3D TLC NAND ,其獨有 NANDXtend 解錯修正技術,在多層解錯修正機制下加上平均抹寫 (Wear Leveling) 技術,增加資料讀寫保護能力,大幅提升 TLC NAND Flash 的寫入 / 抺除的次數 (P/E Cycle) 高達 3 倍,為巿場最俱經濟效益的 TLC SSD 控制晶片決解方案。

 

NANDXtend 解錯修正技術在靭體上設計三維解錯修正機制,有效運用最俱效益的低密度奇偶修正碼 (Low Density Parity Check Code, LDPC) 及 RAID 修正技術,可高速平行解碼且精準即時修正錯誤,特別設計三維解錯修正機制,可依解錯的難易度來分層開啟解錯修正機制,有效增加 TLC NAND 的寫入 / 抺除次數,有別於市場上其他 TLC SSD 控制晶片, SM2256 不需預留空間就可發揮極致的錯誤修正能力,令 TLC 容量得以完全發揮。

 

SM2256

 

此外, SM2256 的性能十分強勁,在配搭 Toshiba A19 TLC NAND 組成 256GB SSD ,其連續讀取效能最高可達每秒 524MB/s ,連續寫入可達每秒 400MB/s ,隨機讀取最高可達 90,000 IOPS ,隨機寫入可達 70,000 IOPS ,支援先進的 Toggle 、 ONFI 及 Asynchronous NAND ,以及 AES 128/256 、 TCG Opal Full-Drive 加密機制等等

 

TLC 的寫入速度比 SLC 和 MLC 為慢,壽命也比 SLC 和 MLC 短,但在價格戰下趨向於 TLC 技術,進而影響到巿場對 SSD 價格的接受,也因此打開整體 SSD 巿場的銷售量,分析機構 IHS iSuppli 預期 2015 年 TLC SSD 市場可望搶佔市場 4 成份額。

 

SiliconMotion 表示,全新 SM2256 SSD 控制晶片已進入送樣測試階段,預計於 2014 年第三季進入量產,將會全力協助提供給 SSD OEM 客人最俱價格競爭力的解決方案。

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