2014-08-12
Intel下代14nm Broadwell微架構細節
第二代FIVR設計 性能、功耗表現再提升
文: Spike Lam / 新聞中心

Intel 12 日於「 Advancing Moore's Law 2014 」大會上公佈了更多下代 14nm 微架構「 Broadwell 」處理器的更多細節,「 Broadwell 」處理器除了在性能上進一步提升同時在功耗表現有更大改進,令行動平台産品電池續航力大幅提升,「 Broadwell 」産品線橫跨不同平台,由嵌入式裝置、行動平台、個人電腦以至工作站及伺服器,首顆上市的 14nm Broadwell 微架構産品將會是 Intel Core M 行動處理器。

 

據 Intel 表示,在晶片與微架構工程師的努力下,下代 14nm 制程 Broadwell 處理器的相較上代 22nm 在同等的性能下其 TDP 降低了 2X ,首個重大改良是採用了第二代 Tri-gate (FinFET) Transistors 技術, 42nm Fin Pitch 、 70nm Gate Pitch 、 52nm Interconnect pitch ,其電晶體性能、功耗、密度及成本均領先半導體業界,它進一步減低了在高時脈下出現的漏電情況。

 

DieShot
Intel 14nm Broadwell Die Shot

 

此外, Broadwell 微架構採用第二代 FIVR 及 3DL 模組設計等動態節能技術,包括了 Dual FIVR LVR 模式及非線性 Droop Control ,處理器相較上代閒置時省電 60% ,並且進一步擴大了動態電壓運作範圍,令處理器工作電壓可望進一步降低,並優化了所需要的電壓以減少所需要的功耗,此舉將令 Intel 14nm Broadwell 處理器相較上代更省電,提供更長的電池續航力。

 

Broadwell 微架構不僅在功耗表現上作出改進,其 CPU 微架構亦作出了改良,在同時脈下相較上代 22nm Haswell 處理器效率更高,內建的 IGP 繪圖核心的 3D 性能、 Media 運算能力及 Display 輸出規格亦大幅提升。如果相較 2010 年的 Notebook 產品,全新 14nm Broadwell 微架構 Intel Core M 處理器在 TDP 上減少了 4X 、 Graphics 性能上升了 7X 、 CPU 性能上升了 2X ,僅一半的電池大小提升了 2X 。

 

Broadwell

 

Broadwell 處理器的封裝亦作出了改良,其面積將較 Haswell-Y 縮少 50% ,厚度減少 30% ,同時為生產商帶來推出具備創意的行動產品的發展空間, Intel 預期 14nm Broadwell 微架構的 Ultrabook 、 2-in-1 裝置將會更輕,採用無風扇散熱下厚度更可以降至 9mm 以下。

 

現時 Intel 14nm Broadwell 處理器已完成測産階段,並開始進入量產,因此將會於 Intel IDF US 2014 大會上展示全新 14nm Intel Core M 行動處理器實物性能,首個 Intel 14nm Broadwell 處理器將會是針對行動平台的 Intel Core M 行動處理器,預期將於 2015 年首季供貨給 OEM 端,基於全新 14nm Broadwell 的 Intel Core M 行動電腦將會在 2015 年上半年度上市,更多 14nm Broadwell 微架構產品線的資料及上市時程,將會在緊接下來數個月內正式公佈。

 

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