2014-10-10
正式大規模量產 進一步開拓其他市場
Samsung 3bit 3D V-NAND 記憶體
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 年中宣佈推出 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶後,針對固態硬碟 Samsung  9 日宣布開始量產業界首款 Samsung 3bit V-NAND 記憶體,其效能大幅提升,而且晶圓生產效率同時提高,相應正式量產後,其應用範疇將進一步應用到個人電腦層面。

 

Samsung 3bit V-NAND 快閃記憶體基於 Samsung 第二代 V-NAND 技術研發,採用 3D Charge Trap Flash (3D CTF) 技術,電荷被暫時放置的絶源的快閃記憶體中,採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾,並逐層向上埋疊達 10 億組存儲單元,以 3D 結構垂堆疊 32 層組,其單一芯片的儲存容量可提供 128 Gb 容量,容量及效能顯著提高。

 

同時, 3bit V-NAND 快閃記憶體每個存儲單元為 3bit ,相對 Samsung 10nm 3bit 平面快閃記憶體, 3D CTF 技術令快閃記憶體令晶圓生產率大幅提升一倍以上。

 

而且透過 3D CTF 技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力,夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制,提升性能和面積比的計率,也可提升可靠性表現。

 

Samsung 3D V NAND

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