2014-10-13
集DRAM及SRAM優勢 效能提升近7倍
TDK 展示新一代 STT MRAM 樣本
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 TDK

上年底,業界正式發表全新的 MRAM 記憶體技術取代沿用的 DRAM ,採用磁阻隨機存取原理,並且其設計相容 SRAM 顆粒,其控制器無需重新設計,廠商成本下降及研發進程更具效率,有望加快進程,令 MRAM 早日面世。

 

MRAM (Magnetoresistive  Random Access Memory) 其採用磁阻存儲方式進行讀寫儲存,兼具 SRAM 的高速讀寫能力及 DRAM 的高集成度能力,並且於斷電後亦能保存資料。其技術理論上 MRAM 的功耗僅為 DRAM 的 30% 左右,而且其讀寫速度更快更 10 倍。

 

近日,日本電子元件生產商 TDK 首次展示旗下 MRAM 原型工程樣本,採用 Spin Transger Torque-type 技術,利用自旋轉換矩( Spin-transfer Torque )引起的電流感應式開關效應,解決 MRAM 一些常見問題。

 

場中, TDK 以運行 STT-MRAN 及 NOR Flash NAND 記憶體進行對照,其讀寫速度分別為 342 MB/s 及 48 MB/s ,效能數字上相距 7 倍之多,雖現時仍處於開發初期,展示的樣本僅 8Mb 儲存容量。

 

據了解,是次樣本由 TDK 與 美國公司 Headway Technologies 合作研發,真正量產將由 TDK 及其他代工廠負責,但 TDK 表示, MRAM 技術仍未能達至量產階段,距離商業化的時程尚有一大段距離,但其高速、長讀寫壽命、低功耗及抗幅射等特點,業界對其關注度高。

 

TDK STT MRAM

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