2014-11-21
多金屬氧鹽酸化合物取代金屬氧化物
可望提升NAND Flash存儲容量8倍
文: Goofy Ko / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 半導體

英國 Glasgow University 正在研發可以進一步提升存儲容量取代現有 NAND Flash 的物料,捨棄傳統金屬氧化物半導體改為採用多金屬氧鹽酸化合物,能同等佔用空間大幅提升儲存能力高達 8 倍,將適用於智能手機、平板電腦以至更細小的智能裝置等裝置中。

 

智能裝置的儲存裝置主要採用 NAND Flash ,採用金屬氧化物半導體制程,這種制程現時已達至 15nm 水平,但要進一步突破至 10nm 以下將會碰到物理上的局限性,因此限制了裝置大小以及儲存空間,而且寫入次數及壽命將會下降。

 

英國 Glasgow University 正在研究以分子物料擴展 NAND Flash 的存儲裝置空間,有別於現時採用金屬氧化物半導體,改用多金屬氧鹽酸化合物,合作可發揮存儲能力的分子,實驗顯示這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求,相較傳統 NAND Flash 效提升儲存空間高達 8 倍。

 

負責此項研究的英國 Glasgow University 教授 Lee Cronin 表示,或用「多金屬氧鹽酸」的化合物好處是能直接應用於現有 NAND Flash 的生產線中無需要重新設計現有 NAND Flash ,將可擴大現有智能裝置儲存容量,現時團隊正要克服數據存儲存的物理性局限性,目標是把分子物料制作的 NAND Flash 寫入次數提升至傳統物料的水平相同。

 

NAND Flash

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