2015-03-06
Samsung 第二代 3D V-NAND 登場
首款 SSD 產品 850EVO 速度達 540MB/s
文: Oliver Lam / 新聞中心
文章索引: 業界資訊 記憶體 Samsung

Samsung 日前在 ISSCC 2015 研討會上公布了第二代 3D V-NAND 的部份細節,並為新一代 3D V-NAND 的優化項目作出解釋,第二代 3D V-NAND 與上一代的差別,最主要是面積及密度上的分別,同一面積下的容量密度提升幅度超過兩倍,非常誇張。

 

上一代的 V-NAND 採用 MLC 設計,堆疊層數為 24 層,每 128Gbit 容量時所需佔用的面積大約 133 平方毫米 (133mm2) ,而今次的第二代 3D V-NAND 就採用 TLC 設計,層數方面增加至 32 層,在同樣 128Gbit 容量時只佔用 68.9mm2,密度上大幅提升 2 倍左右。

 

3D V-NAND

 

3D V-NAND

 

3D V-NAND 擁有多個優勢,過往 MLC 達到一定儲存密度後會對附近的儲存單元產生電荷干擾,而 TLC 就針對這個問題分拆電荷部份,但 3D V-NAND 的技術就能夠直接省去分拆部份,直接將多個編程整合成一個再寫入,令整個流程時間大幅減少,且功耗亦順帶降低 40% 。

 

Samsung 接下來推出的 850EVO 固態硬碟就正正使用這個新技術,將會提供 120GB 、 250GB 、 500GB 及 1TB 選擇,而且最高讀寫速度更會提升至 540MB/s 及 520MB/s ,比上代 840EVO 更快。

 

3D V-NAND

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