2015-06-26
驍龍 810過熱問題成推手?
下代高通驍龍 820 急磨槍上陣
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 處理器 Qualcomm

Qualcomm 旗艦級高階 Snapdragon 810(QS810) 流動處理器備受各界批評其溫度高,引致很多採用處理器的智能手機受到牽連,引致大部份旗艦手機出現銷售欠佳的情況。

 

據業內人士指, Qualcomm 將加快研發下一代旗艦級 Snapdragon 820(QS820) 流動處理器以取代出現過熱問題的 QS810 ,近日已火速將樣本發往客戶進行測試,相信該 QS 820 將大力全開加快整個生產進程。

 

最新的 QS820 處理器效能進一步提升,將採用最新的 ARMv8 核心架構,具備 64bit 運作能力,並向後兼容 32bit 運作能力,主要集中加強電力功耗的效率轉換,其開發代號為「 Kryo 」。

 

此外, QS820 將會採用 3D FinFET 及 14 nm 工藝制程打造,以三維架構的 Transistors ,令電晶體佈局更為靈活 ,電晶體性能、功耗及密度等均大大優化,能有效解決過熱問題,而且有消息指出時脈將提升至 3.0GHz ,效能強悍。

S810

過熱問題頻生的 QS810 架構圖

 

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