2015-08-04
48 層 3D 推壘式架構 容量達256 Gb
Toshiba 最新 BiCS Flash 記億體
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 處理器 Toshiba

科技界發展一日千里,市場對 Flash  記億體的儲存容量及效能需求更為嚴格, Toshiba 4 日所發佈全球首款 48 層 BiCS 3D 推壘式架構 Flash  記億體應能滿足不同用家的需求。自 2007 年起, Toshiba 己率先推出 BiCS FLASH 技術,並將其生產程大幅優化,是次最新技術主要針對大容量儲存空間設計,對於記憶體發展加添動力。

 

Toshiba 最新公佈的 BiCS Flash 記億體運用最新的 48 層堆疊技術,其實現更高速的讀寫及擦除時的穩性,相對 2D 平面 NAND Flash 記憶體, 3D 堆疊式構造令其密度倍級提升,該款記億體提供 256 Gb 儲存客量,更能滿足現時對大容量的儲存需求,無論流動裝置、消費及企業級固態硬碟或記憶卡亦能應用。

 

據 Toshiba 表示,旗下位於日本 Yokkaichi 的新建設晶圓廠正在興建當中,將於 2016 年初完工,並主力生產最新 BiCS Flash 記億體已,有望明年中能正式出貨。此外, Toshiba 亦持續發 TLC (3-bit-per-cell) 技術,透露將於本年 9 月正式向其他廠商傳送樣本。

 

Toshiba BiCs

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