2015-08-11
3D CTF 架構 容量翻倍、功耗減30%
Samsung 3D V-NAND 記憶體
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 10 日發佈最新開始量產第三代 V-NAND Flash 記憶體正式量產,其採用 48 層 3D Vertical NAND 推壘式架構 Flash 記憶體,其容量高達 256 Gb ,與 Toshiba 月初時推出 BiCS Flash 記憶體一拼高下。

 

本年 7 月底 Intel 及 Micron 聯合發佈革命性記憶體技術  - 「 3D XPoint 」,其標榜相對傳統 NAND Flash 記憶體存取速度快千倍以上,容量亦能增加十倍左右,雖然現時仍處於研發階段,但對於其他廠商來說,其競爭力足以令傳統記憶體技術受到動搖。

 

Toshiba 隨即於本月 4 日發佈全球首款 48 層 BiCS 3D 推壘式架構 Flash 記憶體,其容量達 256 Gb ,令市場關注。 Samsung 亦採取相應行動於 10 公開發佈旗下第三代   V-NAND (3D Vertical NAND) 記憶體,由上代 32 層 3-bit MLC 推壘至 48 層 3-bit MLC ,容量提升至 256 Gb ,能滿足現時對大容量的儲存需求。

 

同時, 3D Vertical NAND 技術令每個獨立記憶單元統一採用 3D Charge Trap Flash 架構,讓電荷能暫存於   Non-conductive Layer   通道上,令其互相干擾的情況大大減少,相對上代的功耗更減低 30% ,其良率亦提升 40% ,第三代 V-NAND Flash 記憶體具多項優點,相信很快將於 NAND Flash 儲存及固 SSD 市場亮相。

 

3D VNAND

 

 

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