2015-10-12
「ReRAM」與 「 3D XPoint 」競賽起動
HP X SanDisk 聯合發佈新記憶體技術
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 HP SANDISK

Intel 早前聯同 Micron 發佈革命性記憶體技術 - 「 3D XPoint 」記憶體技術引起市場熱話,其他廠商亦不惶多讓,近日 HP 及 SanDisk 宣佈組長期合作伙伴,共同推出 ReRAM 反擊,其標榜傳輸速度相對 NANA Flash 快千倍,突破現時記億體效率樽頸。

 

據 Scandisk 表示,新 ReRAM 記億體技術能提供相對現時 FLASH 的傳輸速率及耐用度增強 1000 倍,面對現時海量的存儲數據,各行各業或消費者對於數據存取速度需求更高,與早前 Intel 及 Micron 所推出的「 3D XPoint 」所提供的效能可爭一日長短。

 

ReRAM 記億體具備了斷電後亦能繼續保持數據的特點,加上效能大幅提升, ReRAM 技術主要依靠絕緣體的電阻變化產生 0 及 1 的訊號。「 3D XPoint 」及「 ReRAM 」記憶體技術均被視為取代現時 DRAM 的主要技術,因 DRAM 工藝制程到 16nm 已是極限,其原材料及薄膜厚度已不能配合工藝制程繼續發展。

 

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