2015-12-09
ROG ITX 板皇登場
ASUS ROG Maximus VIII Impact
文: John Lam / 評測中心


ASUS ROG Z170 ITX 板王「 Maximus VIII Impact 」正式登場,擁有 Extreme Engine Digi+ 供電設計及 Pro Clock 超頻技術,板子雖小卻提供優秀超頻能力,具備 SupermeFX 2015 獨立音效模組、  802.11AC 2T2R MU-MIMO 無線網絡、 USB 3.1 及 Thunderboth 3 支援,打造最強 Z170 Mini-ITX 系統。



ROG ITX 板皇登場


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對於追求機身細小、強大性能的進階玩家, ASUS ROG 旗艦級型號「 Maximus VIII Impact 」絕對是夢寐以求之選,雖然 PCB 空間有限,但規格、功能和用料卻豪華得過份,採用 Mini-ITX Form Factor 設計, 8 層 PCB Layers 設計尺寸為 17cm x 17cm ,處理器接口採用全新 Socket 1151 ,支援 Intel 全新 14nm 、第六代 Intel Core 微架構 Skylake 處理器,包括高階玩家型號 Core i5-6600K 及 Core i7-6700K 處理器。

 

作為 ASUS ROG 系列高階型號,「 Maximus VIII Impact 」在功能上非常全面, Impact Power 供電設計,加入 Intel Apline Ridge 晶片提供 Thunderboth 3 及 USB 3.1 支援,更內建 AC1300 3T3R 無線網絡等等, ROG 研發團隊同時針對其超頻能力進行優化,令 Mini-ITX 主機板也能擁有驚異超頻能力。

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( 左 ) 新一代 Intel Z170 系統晶片 ( 右 ) 支援 Socket 1151 處理器接口

 

Impact Power III 供電模組

 

要在空間有限的 Mini-ITX PCB , ASUS 「 Maximus VIII Impact 」主機板採用了垂直式 Impact Power III 供電模組設計,大幅減省了供電模組佔用的 PCB 空間,由於新一代 Intel Skylake 處理器取消了 FIVR 供電架構,主機板供電模組需獨立控制 VCORE 、 VIO 、 VGT 、 VSA 及 VDDR 等多個不同供電線路,因此 ITX 主機板供電設計優劣,將直接影響系統穩定性與超頻能力。

 

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Impact Power III 垂直式供電模組設計


  「 Impact Power III 」的垂直式 10 相位模組採用了「 Extreme Engine Digi+ 」供電設計,配合自家研發的 TPU 控制晶片及 Pro Clock 晶片,以滿足超頻後在高負載下仍能提供穩定供電,解封 Intel Skylake 微架構處理器的超頻潛力,其中 6 相位獨立負責 CPU VCORE供電, 2 相位則獨立負責 iGPU VGT供電,另外 2 相位則為 DRAM VDIMM,將有效提升供電對負載的反應時間,提供更佳的穩定性及超頻能力。

 

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( 左 ) 自家研發的 Digi+ EPU VRM 晶片 ( 右 ) ASUS ROG 系統控制晶片

 

為提供更準確工作電壓, Extreme Engine Digi+ 採用獨有的 ROG 晶片及 TPU 晶片取代 Intel iMVP8 供電設計,以數位迴路實時監察 VCORE 、 VGT 及 VSA 的電壓轉變作出補償,更準確的電壓控制能大幅降低 vDrop 情況。

 

供電用料再進化

 

除了供電設計外,「 Maximus VIII Impact 」供電模組用料亦進一步提升,改用全新 Microfine 微粒合金電感,電感內部顆粒較微細而且均勻,高磁導率相較傳統電感的損耗減低 75% ,降低電感滾降令電源轉換效率提升約 50% ,令電流容量大幅提升。

 

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全新 Microfine 微粒合金電感,轉換效率提升約 50%

 

配搭日系 10K Black Metallic 電容,相較一般固態電容高出五倍長的使用壽命,工作溫度範圍亦較一般固態電容更廣,能正常運作於 -75°C 至 125°C 的溫度範圍仍能保持其穩定性及壽命。

 

MOSFET 採用由 Infineon 生產的 OptiMOS 晶片,其整合了兩顆高電流輸送的 MOSFET 堆疉於單一封裝內,其導通電阻相較一般 MOSFET 降低 50% ,低導通電阻很大程度上減少了傳導損耗和導通功率消耗,同時工作溫度亦降低了約 10°C , MOSFET 上方設有鋁合金配搭全銅導熱管散熱器,提高供電模組的散熱效果。

 

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      ( 左 ) Infineon OptiMOS MOSFET 晶片 ( 右 ) 日系 10K Black Metallic 電容

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