2015-12-29
新世代記憶體技術 效能跳躍式提升
「 3D XPoint 」Octane 明年秋季上市
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 INTEL Micron

Intel 於 2015 年 7 月底發佈一項記憶芯片突破性技術 - 「 3D XPoint 」,除即於 8 月 IDF 2015 大會上公開首款採用該技術設計的 「 Octane 」原型硬碟,引發市場熱話,最新消息指「 Octane 」將於 2016 年秋季配搭下一代處理器平台公開亮相,擊起新世代 PC 業界浪花。

 

「 3D XPoint 」記憶體技術由 Intel 及 Micron 共同研發,其相對現時 SSD 的傳輸速度快近 7 倍, Latency 亦快近 8 倍之多,而且「 3D XPoint 」具備了斷電後亦能繼續保持數據的特點,以及比傳統 DRAM 的存儲容量高出 10 倍左右,並耐用度提升了 1,000 倍,勢成下一代記億體技術指標。

 

據了解,「 Octane 」 規格提供三項規格,當中包括 M.2 、 U.2 2.5 IN 和 ADD-IN CARD ,預計除了商用級市場外,亦會定位消費級市場,向一般大眾提供效能倍級提升的記億體產品,其定價將介於 DRAM 及 NAND Flash 之間,相信當技術成熟後,價格可望大幅調整,因其成本僅 DRAM 的一半的生產成本及提供多四倍的記憶體容量。

 

3D XPoint.

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