2016-05-04
DDR4 16GB單條時代來臨
CORSAIR CMK16GX4M1A2666C16
文: Spike Lam / 評測中心


8Gb 顆粒開始普及令 DDR4 16GB 單條價格變得平易近人,當中以 CORSAIR 表現最為積極, Vengenance LPX DDR4-2666 CL16 16GB 單條價格已貼近 8GB x 2 價位,對於追求高記憶體容量的 ITX 玩家,或是希望保留未來升級更高記憶體容量, 16GB 單條將會是更理想的選擇。



VENGEANCE LPX DDR4-2666 16GB

CMX16GB

DDR4 顆粒開始由單顆 4Gb 容量時代轉往 8Gb 容量為主流,令 DDR4 16GB 記憶體模組價格變得平易近人,並貼近 8GB x 2 Kit 價位,對於記憶體擴充槽較少的 MATX 及 ITX 平台,或是考慮未來進一步擴充記憶體用家來說,單條 16GB 記憶體模組性價比變得吸引,當中以 CORSAIR 表現最為積極,根據 Jumbo 報價系統,近日 Vengeance LPX DDR4-2666 16GB 已由單條 HK$950 落價至 HK$835 , 32GB Kit (16GB x 2) 更由 HK$1800 落價至 HK$1,579 。

 

此次收到由 CORSAIR 送測的 Vengeance LPX DDR4-2666 16GB 單條記憶體模組,型號為「 CMK16GX4M1A2666C16 」,擁有黑色鋁合金散熱片,矮身設計適合 MATX 及 ITX 平台使用,確保記憶體模組不會妨礙 CPU 散熱器的安裝,產品支援最新 Intel XMP 2.0 一鍵超頻功能,同時針對市場上常見的 X99 及 Z170 等高階主機板型號進行 QVL 測試,以確保記憶體具備絕佳穩定性。

 

 

 

 

 

CMX16GB

解拆 CORSAIR 記憶體型號編,其中 CM 代表 CORSAIR Memory 、 16G 代表容量、 X4 代表 DDR4 產品、 M1A 代表為單條 Module 不是 Kit 裝、 2666 代表速度為 DDR4-2666 、 C16 代表為其時序為 CL16 ,不少進階玩家希望得悉記憶體模組所使用的顆粒,由於購買時無法拆開,大家可以查看 Ver 的編號, DDR4 記憶體模組的 Ver 編號,其中 MICRON 為 3.xx 、 SAMSUNG 為 4.xx 、 HYNIX 為 5.xx 、 NANYA 為 8.xx ,所以這次送測的為 SAMSUNG 顆粒記憶體模組。


CMX16GB

CMK16GX4M1A2666C16 Ver 4.31

 

8 Layers PCB 、 SAMSUNG 8Gb B-Die

 

CORSAIR Vengeance LPX 「 CMK16GX4M1A2666C16 」,規格為 DDR4-2666 CL16-18-18-35 2T ,工作電壓為 1.2V ,採用 8 層 PCB Layers 設計,拆下散熱器可以看到記憶體 PCB 雙面合共 16 顆 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCPB 」記憶體顆粒。

CMX16GB

SAMSUNG 記憶體顆粒的編號,開首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 產品, A 代表 DDR4-SDRAM 系統記憶體、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 顆粒 ,其 Refresh 時間為 64ms ,緊接編碼為 5 是 16 Banks 顆粒, W 代表工作電壓採用 SSTL_12 介面, vDD 、 vDDQ 工作電壓均為 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 顆粒。

 

後面「 BCPB 」的 B 代表 96 ball FBGA 顆粒,採用 Halogen & Lead Free 環保制程 Flip Chip 封裝, C 代表為正常商用顆粒之工作溫度範圍為 0ºC ~ 85ºC , PB 代表其速度為 0.938ns 即 DDR4-2133 ,規格為 CL15-15-15 , CORSAIR 透過篩選程序,打造成 XMP 規格下 1.2V 工作電壓可運作 DDR4-2666 C16 的記憶體模組産品,而且 B Die 顆粒是現時市場上的超頻皇者,超頻能力是所有 DDR4 顆粒之冠。

 

CMX16GB

 

SAMSUNG 顆粒 B-Die 的超頻能力非常驚人,只要配上一片記憶體線路設計優良的主機板,透過調整工作電壓就能提供明顯的性能提升,其中 CL 值並不是 B-Die 的主要力牆,可以透過更高電工作電壓彌補,相反 tRCD 及 tRP 對電壓不敏感,完全視乎顆粒體質,因此市面上大部份 SAMSUNG 記憶體模組, tRCD 、 tRP 值會比 CL 值高。

 

2616G

 

效能測試︰

 

測試平台為 ASROCK Z170 OC Formula 主機板配搭 Intel Core i7-6700K 處理器及 GALAXY GeForce GT630 繪圖卡 ,作業系統則採用 Microsoft Windows 10 ,每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才能當測試成功。

 

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準,用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡,透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試,可以分辨出模組無法通過測試的顆粒,是工廠級的記憶體測試。

 

2616G

 

CORSAIR CMK16GX4M1A2666C16 僅為中階型號,但超頻能力卻非常出色,這次測試我們採用了兩組單條 16GB 進行 Dual Channel 測試,在不加任何電壓為調整任何時序下, 1.2V 可穩超 DDR4-2933 CL16-18-18 並完成 1 小時的 AMT64 壓力測試,其實 1.2V 也能穩超 DDR4-3000 並通過測試,不過會出現開機 POST 過程中可能出現無法完成 Memory Training 問題需要重啟,但略為提升至 1.22V 就能解決。

 

雖然是雙面 16GB 記憶體模組, B-Die 仍然提供非常理想的超頻空間, 1.25V 下穩跑 DDR4-3100 CL16 、 1.28V 可達成 DDR4-3200 CL16 ,當接近 DDR4-3333 CL16 時所需要 1.35V 電壓,如果進一步提升至 DDR4-3400 所需要的電壓增長會更高,或是需要調整時序作配合,因此建議用家選擇較保守的 DDR4-3200 1.3V 作為 24 X 7 長時間穩作設定,如採用 DDR4-3333 1.35V 建議必需自行燒機確定不會出錯才好用作 24 X 7 長行目標。

 

 

2616G

 

由於在不調整時序下,可由 DDR4-2666 超頻至 DDR4-3333 ,因此記憶體性能提升非常明顯, Memory Read 、 Write 及 Copy Bandwidth 分別由 37,046MB/s 、 39,722MB/s 及 36,996MB/s ,大幅提升至 45,354MB/s 、 48,967MB/s 及 44,662MB/s ,記憶體延遲值亦由 53.1ns 大幅下降至 46.7ns 。

 

 

 

編輯評語︰

 

由於 8Gb DDR4 顆粒開始普及,舊有 4GB 單面及 8GB 雙面 DDR4 模組將會續漸退出市場, 8GB 單面及 16GB 雙面將會成為主流,對於打算組裝 ITX 系統或是考慮未來有可能升級更大容量的用家,不妨考量選購 16GB 單條模組,現時 CORSAIR 在 16GB 單條模組的價格相當進取,相信能搶下不少市佔。

 

文: Spike Lam/評測中心
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