2016-02-29
新一代 DDR4 超頻皇者!!
G.SKILL F4-3600C16D-16GTZ 模組
文: John Lam / 評測中心


針對全新 Intel Z170 玩家平台, G.SKILL 推出 Trident Z 系列最新成員「 F4-3600C16D-16GTZ 」超頻記憶體模組,採用最新 SAMSUNG B-Die 記憶體顆粒,是現時最強的 DDR4 超頻記憶體顆粒,預設 XMP 規格在 1.35V 工作電壓下可運作於 DDR4-3600 CL16-16-16 時序,只需略加電壓就能輕鬆超上 DDR4-4133 ,成為新一代的 DDR4 超頻皇者。



G.SKILL F4-3600C16D-16GTZ

TridentZ

受惠於 Intel 新一代 Skylake 微架構的記憶體控制器設計, DDR4 記憶體時脈得以進一步提升,因此 G.SKILL 特別針對 Intel Z170 主機板平台,推出全新 Trident Z DDR4-3600 CL16 16GB Kit 記憶體模組,型號為「 F4-3600C16D-16GTZ 」,採用全新 SAMSUNG B-Die 記憶體顆粒,配合自家 IC 篩選流程,過往只能在 LN2 極限超頻才能達到的爆發極速,現在可以在風冷下輕鬆達成。

 

全新 G.SKILL Trident Z 記憶體模組換上全新的散熱片設計,銀、黑面兩面雙色鋁合金屬所組成、厚度達 0.2mm ,散熱片外殼表面採用 CNC 切割及髮絲紋處理,並配合一體成形的鰭片式設計,有助於空氣流通達至快速散熱之效。

 

 

 

TridentZ

為確保記憶體模組的穩定性, G.SKILL Trident Z  「 F4-3600C16D-16GTZ 」在出貨前皆經過嚴苛的出貨測試,以確保系統的最佳效能表現,產品支援最新 Intel XMP 2.0 一鍵超頻功能,同時針對市場上常見的 Z170 主機板型號進行 QVL 測試,以確保記憶體具備絕佳穩定性。

TridentZ

10 Layers PCB 、 SAMSUNG 8Gb B-Die

 

G.SKILL Trident Z 「 F4-3600C16D-16GTZ 」規格為 DDR4-3600 CL16-16-16-36 2T ,工作電壓為 1.35V ,採用 10 層 PCB Layers 設計提供更佳線路屏蔽效果,拆下散熱器後可以看到記憶體 PCB 單面合共 8 顆 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCPB 」記憶體顆粒。

 

 

Trident Z

SAMSUNG 記憶體顆粒的編號,開首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 產品, A 代表 DDR4-SDRAM 系統記憶體、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 顆粒 ,其 Refresh 時間為 64ms ,緊接編碼為 5 是 16 Banks 顆粒, W 代表工作電壓採用 SSTL_12 介面, vDD 、 vDDQ 工作電壓均為 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 顆粒。

 

後面「 BCPB 」的 B 代表 96 ball FBGA 顆粒,採用 Halogen & Lead Free 環保制程 Flip Chip 封裝, C 代表為正常商用顆粒之工作溫度範圍為 0ºC ~ 85ºC , PB 代表其速度為 0.938ns 即 DDR4-2133 ,規格為 CL15-15-15 , G.SKILL 透過篩選程序,打造成 XMP 規格下 1.35V 工作電壓可運作 DDR4-3600 C16 的記憶體模組産品。

 

TridentZ

 

市場上的 Z170 主機板記憶體線路設計,未必每一片均針對高記憶體時脈運作進行優化,因此 XMP 時序設定會偏向保守,主要是記憶體廠商為了提升相容性,令 Sub-Timing 時序設定均偏向保守,建議進階玩家們可以收緊 Sub-Timing 時序設定入手,性能將會明顯提升。

 

TridentZ

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