2016-03-07
效能雖強勁 但過熱問題解決了嗎?
Qualcomm S820 效能評分位居榜首
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 處理器 Qualcomm

Qualcomm 上代旗艦級流動處理器 Snapdragon 810 過熱問題令 Qualcomm 市佔大受打擊,不同手機生產商均改用其他處理器以作補替或以其他方法改善發熱問題,引起極大迴響,為挽回聲譽, Qualcomm 將新一代 Snapdragon 820(QS820) 重新打造,改用 Kryo 微架構、 14nm 納米技術及提升時脈等等,令 QS820 成為效能最強的流動處理器,但過熱問題仍備受考驗,有部份 Xiaomi Mi5 用家表示,機身過熱,疑因 QS820 過熱而引起。

 

近日,配備 Qualcomm 新一代旗艦級流動處理 Snapdragon 820 (QS820) 的智能手機陸續推出,其效能一致受到肯定,中國評測軟件日前更公佈截至三月份最強流動處理器排行榜, QS820 以 136383 位居榜首,僅隨其後的兩枚處理器分別為 Apple A9 及 Samsung Exynos 8890 。

 

QS820 強勁性能相對上代有著 30% 提升,無論處理速度及數據傳輸方面亦大大加強,吸引各大廠均採用 QS820 於旗下的高階手機當中,包括: LG G5 、 Samsung Galaxy S7 Edge 、 Sony Xperia X Performance 及 Xiaomi Mi5 等等,但上代的過熱問題仍然令市場憂慮,隨著配備 QS820 的手機陸續上市,用家能親身體驗其效能。

 

SNAPDRAGON 820

 

日前,有部份新購入 Xiaomi Mi5 的用家反映機身過熱,引致市場人士認為發熱的罪魁禍首是 QS820 ,令機體過熱,導至系統可能出現不穩定、效能減弱等問題出現。 Qualcomm 就此事迅速於社交平台上作出回應:「我們對驍龍 820 充滿信心,其性能和熱效率完全符合預期,表現非常出色。我們也沒有收到來自合作伙伴的任何報告,顯示其品受驍龍 820 處理器影響產生任何熱效率或性問題。」

 

據 Qualcomm 官方極力否認過熱問題源自 QS820 處理器, 是次事件是因為 QS820 處理器、 Xiaomi Mi5 造工問題還是個別案例,暫時未有分曉,有待更多配備 QS820 處理器的手機上市作出調查。

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