2016-04-06
SAMSUNG量產1xnm DDR4顆粒
性能提升30% 功耗下降10~20%
文: Goofy Ko / 新聞中心

SAMSUNG 5 日宣佈將繼 2014 年成為首個量產 2xnm DDR3 記憶體顆粒後,再次突破採用 1xnm 制程量產 DDR4 DRAM 記憶體顆粒,成為全球唯一實現 10nm 制程級別的記憶體顆粒生產商。

 

據了解, SAMSUNG 現時正採用 1xnm 制程量產 DDR4 記憶體顆粒,為了進一步降低成本及提升容量, SAMSUNG 在單元設計技術、四重曝光技術 (QPT) 、超薄介質層沉積技術取得重大突破,在現有的氟化氬沉浸式光刻工藝下實現了 1xnm 制程,並將進入量產階段。

 

採用了 1xnm 制程後,全新的 SAMSUNG DDR4 顆粒在單顆容量 8Gb ,其預設時脈可高達 DDR4-3200 ,相較 2xnm 下性能提升約 30% ,同時同等頻率下功耗可減 10 ~ 20% 。

 

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