2016-05-19
IBM 優化內建儲存技術 有望成為主流
Phase-change memory 技術突破
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 IBM

IBM 早前開放量子電腦雲端服務給不同機構試用引起關注,日前再發表 Phase-Change Memory 記憶體技術突破,將 Phase-change memory 成本大大降低,有助其商用化腳步加快,有望取代現有記憶體成為主流。

 

( 相變化記憶體 ) 技術出現於 1970 年代,其優點擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等,提供非揮發記憶體特性,該技術具有與傳統 CMOS 製程與週邊電路最高的相容性,很大機會取代 現時 Flash 、 SRAM 、 DRAM 等記憶體技術。

 

其原理主要利用電流產生熱量以改變材料結構,實現儲存功能,依靠電流脈衝令變相材料形成不同程度電阻,系統以判斷不同電阻值而形成判斷 「 0 」或「 1 」數碼信號。現時技術僅能於每個儲存單元上提供 1bit 的信號儲存,而 IBM 最新技術發佈表示,已成功找出每個儲存單元上儲存 3bit ,讓變相材料於高溫特性令記憶體進入多重狀態。

 

成功找出每個儲存單元上能儲存 3bit 資料,最大益處能令相變化記憶體成本大幅下降,成本貼近 Flash ,而且能提供 1000 萬次讀寫。 IBM 表示 相變化記憶體能取代現代電腦上使用的 RAM 及手機上的 Flash ,採用此記憶體能令系統快存速度大大優化,資料查詢速度更快,特別應用於 AI 、深度學習及神經網絡系統等亦能強化效能。

 

PCM MEMORY

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