2008-07-03
現貨價與合約價呈反向走勢
第三季DRAM將有10~20%上漲空間
文: Kopo Ko / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

據市調機構 DRAMeXchange 指出,記憶體現貨市場處於淡季,成交量低迷乃為正常狀況,然現貨價與合約價近期呈現反向走勢,實較為少見。此波現貨價格沒跟上合約價上漲, DDR2 eTT 1Gb 現貨均價反自六月高點 2.15 下跌至 6/30 的 1.97 美元,跌幅約為 8.4% 。縱使合約價在六月呈現緩步墊高走勢,原廠在合約市場出現供給吃緊狀況,然現貨價自六月中旬卻逕自走跌,至上週才止跌回穩。

 

現貨市場之所以如此,可分供需兩方因素加以說明;供給方面,瑞晶今年以來拉高產出,使現貨市場供給量增加;在需求方面,對 DRAM 現貨價頗具影響力的中國市場,由於奧運舉辦在即,近期中國相關部門對貨物通關轉運安全檢查轉嚴,導致商品流動效率下降,部分原應供給至中國的現貨因而遞延入關。

 

而這些未能如期進入中國的商品,在市場上流竄造成價格疲軟,甚至使市場懷疑價格疲軟是否肇因於實質需求不振。另外,六月底適逢部分 DRAM 廠財報季底,現貨買家對原廠是否因作帳壓力而釋出庫存產生疑慮,亦使得買方收手觀望。

 

據 DRAMeXchange 認為,上述幾個原因中,瑞晶投片量大幅增加時間在上半年,第二季產能達滿載,第三季再增加的幅度有限;中國方面,只要不是實質需求不振,奧運後 DRAM 供需透過市場機制將再趨正常;至於季底作帳因素,至今亦告一段落。

 

另外目前合約高於現貨的價差,使 OEM 採購觸角延伸至原以現貨市場及模組廠為主要供應對象的 DRAM 廠,待認證通過,當採購量足夠時,將有助於現貨市場供給消化。基於上述理由,除非需大幅低於預期,現貨價下跌空間有限,未來再回檔或盤整後,預期將繼續上漲, DRAMeXchange 預估 1Gb eTT 指標顆粒在第三季將有 10 ~ 20% 上漲空間。

 

ADATA DDR3 1333

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