2016-07-22
ROG國慶10週年版
ASUS ROG Rampage V Edition 10主機板
文: John Lam / 評測中心


為紀念「 ROG 玩家共和國」成立 10 週年, ASUS 特別推出旗艦級「 ROG Rampage V Edition 10 」主機板,除了保持一貫強大超頻性能及豪華規格外,廠方更在系統散熱片、 PCIe 插槽、 I/O 外罩、背板下方、音效模組位置加入 LED 光效設計,用玩可以透過附連的 AURU 軟體獨立調整 LED 色彩及閃動模式,並附送 SupremeFX Hi-Fi USB DAC 耳擴放大器, ROG 國民們絕對不能錯過。



ASUS Rampage V Edition 10

 

RVE10

 

ROG 玩家共和國 (Republic of Gamers) 系列已經推出 10 年,型酷的外觀設計、強勁的超頻性能一直受玩家們的追捧,並開創電競主機板的先河,為紀念 ROG 系列 10 週年, ASUS 特別推出全新「 ROG Rampage V Edition 10 」旗艦級主機板,集結最強硬體規格及強大的超頻能力, 8 相 Extreme Engine Digi+ 數位供電模組、 Dual Intel Gigabit Ethernet 網絡、支援 4 組 USB 3.1 高速傳輸,更內建 AC 1300 3T3R 無線網絡等等。

 

針對遊戲玩家對耳機音效的質素要求, ROG Rampage V Edition 10 主機板附連 SupremeFX Hi-Fi USB DAC 耳擴,同時為滿足對 Case Mod 玩家的素求,在系統散熱片、 PCIe 插槽、 I/O 外罩、背板下方、音效模組位置加入 LED 光效設計,用玩可以透過附連的 AURU 軟體獨立調整 LED 色彩及閃動模式,玩味十足。

 

R5E10

基本上,「 ROG Rampage V Edition 10 」主機板可以視為「 ROG Rampage V Extreme 」的進化版本,採用 E-ATX Form Factor 設計, 8 層 PCB Layers 設計尺寸為 30.5cm x 27.2cm ,在外觀設計上  Edition 10  版本省去了 ROG 經典紅色,以黑、灰作為主色感覺就像以往的 Black Edition 。

 

採用 Intel X99 系統晶片配搭自家研發的 OC Socket 處理器接口,支援新一代 Intel Core i7-5800/5900/6800/6900 系列與 Xeon E5-2600 v3/v4 系列處理器。記憶體方面,擁有 8 組 DDR4 DIMM 插槽,支援 Quad-Channel 記憶體通道與 Intel XMP 2.0 記憶體技術,最高可運行 DDR4-3333 記憶體速度、最高支援 128GB 記憶體容量,配搭 Intel Xeon 處理則可支援 DDR4 UDIMM ECC 、 RDIMM 等伺服器用記憶體。

 

RVE10RVE10

( 左 ) 自家研發的 OC Socket 接口 ( 右 ) Intel X99 系統晶片

RVE10RVE10
( 左 ) 最高支援 8 支 DDR4 記憶體模組 ( 右 ) Rampage V Edition 10 十年紀念版

 

Extreme Engine Digi+ 供電模組

 

作為 ROG 系列頂級型號,「 ROG Rampage V Edition 10 」採用了 8 相 Extreme Engine Digi+ 供電模組,配合 iROG 控制晶片監測 CPU 內部電壓的變化,實時調整 CPU MSR 的電壓 Offset 值,包括 CPU 核心 (Cores) 、 LLC Cache Slice (Ring) 、 System Agent (VCCSA) ,實時對 iVR 的電壓作出補償,令工作電壓在負載後保持平穩,提升 CPU 超頻穩定性。

 

RVE10

 

用料方面,採用高品質的 Microfine 微粒合金電感,電感內部顆粒較微細而且均勻,高磁導率相較傳統電感的損耗減低 75% ,降低電感滾降令電源轉換效率提升約 50% ,令電流容量大幅提升。

 

配搭日系 10K Black Metallic 電容,相較一般固態電容高出五倍長的使用壽命,工作溫度範圍亦較一般固態電容更廣,能正常運作於 -75°C 至 125°C 的溫度範圍仍能保持其穩定性及壽命。

 

RVE10RVE10
10K Black Metalic 電容、 Microfine 電感及 PowlRStage MOSFET

 

採用 PowlRStage MOSFET , IR 數位電源控制器配搭 PowlRstage MOSFET 晶片,內建 Isense 技術能準確均勻分散供電負載與各顆 MOSFET 晶片,有效延長使用壽命及提高可靠性,並設有特大 Heatpipe 散熱器為供電模組提供優秀的散熱效果。

分享到:
發表評論
本篇文章被 31863 人閱讀,共有 個評論