2016-07-27
64層立體堆疊技術 容量大幅提升
Toshiba 發佈 BiCS FLASH 3D 記億體
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Toshiba

Toshiba 宣佈推出新一代 BiCS FLASH 3D  堆疊式技術記憶體,其技術已可推堆疊高達 64 層,相對上代 48 層的記億容量高出 1.4 倍,成為現時最高堆疊層數的記憶體,據官方表示,樣版已陸續付運,並透露將即將完工的日本四日市新廠房中量產,相信很快於市場出現。

 

據 Toshiba 表示,最新記憶體採用 3-bit-per-cell (triple-level cell, TLC) ,並能達到 256Gb 容量,其相比以往的堆疊式記憶體更容量更大,而且成本下降,相比 48 層堆疊式記憶體,容量擴充 40% ,代表於每片晶圓上所提供的容量更大,意味日後產品的每 bit 即將下降。

 

官方表示,新型記型體集中日本制造,將於日本四日市新興建的廠房製造,該廠房由 Toshiba 及 Western Digital 合作營運,並於 7 月底正式完工,預計啟動後,新型記憶體亦會同時開始量產, 64 層 BiCS FLASH 3D  堆疊式技術記憶體用途甚廣,個人 PC 、企業級伺服器、手機、平板等等亦會涉足。

 

Toshiba BiCs

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