2016-08-10
UFS 2.1 儲存標準 高效省電更耐用
Micron 發佈手機專用 3D NAND 記憶體
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Micron

Micron 近日發佈全球首款用於行動裝置的 3D NAND 記憶體,相較於相同尺吋封裝大小的記憶體提供更大儲存容量,並採用最新 UFS 2.1 傳輸標準,加快行動裝置記憶體技術發展腳步,有望下年中正式付運。

 

Micron 宣佈推出行動裝置專用的 3D NAND 記憶體,主要目的為決儲存容需求日漸增加的智能手機使用,現時 VR 、大型遊戲或影片所佔容量大幅增加,導至手機內存空間漸漸不足,基本上 16GB 的儲存空間已經不足以應付現時需求,部份手機以 32GB 容量起跳,市場更盛傳新一代 iPhone 將配備 256GB 型號。

 

面對手機儲存容量的需求, Micron 最新推出的 3D NAND 記憶體能解決多項問題,其技術能將相同封裝大小的記憶體容量倍增,據官方表示,新 3D NAND 記憶體為 32 GB 容量,封裝面積僅為 60.217mm² ,相對同樣容量的記憶體減少 30% ,對於內部空間有限的智能手機來說,即可騰出更多空間集成其他零組件,進一步令手機設計得更為輕薄。

 

同時, Micron 3D NAND 記憶體於傳輸速度亦有大幅優化,其支援 UFS 2.1 儲存標準,讀取速度達到 1.5GB/s ,寫入接近 500MB/s ,相比相時流行的 UFS 2.0 的效能提高 2 倍,有效發揮系統效能。另外,加入 MCP 多晶片封裝技術,支援 LPDDR4X ,相比 LPDDR4 省電近 20% 。

MICRON 3D NAND

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