2016-08-11
獨家記憶體技術 效能突破性提升
Intel & Micron 釋出 3D XPoint 資料
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 INTEL Micron

上年中由 Intel 及 Mircon 聯合發佈的 3D XPoint 記憶體技術,由該技術打造的原型硬碟亦於上年底公開亮相,其技術於容量、傳輸速度及耐用度亦有突破性發展,證實 Intel 將此類 SSD 命名為 Optane , Micron 則命名為 QuantX ,業界隆重其事,因相對 1989 年面世的 NAND Flash 儲存技術, 3D XPoint 記憶體技術是另一個重大突破。

 

Intel 及 Micron 近日正式宣佈 3D XPoint 記憶體技術發展順利,於發表會上展示出 QuantX 開發樣本,從圖上可看到兩塊子板集成了四塊已封裝的 3D XPoint 晶片,總容量達到 128GB ,而每塊晶片則集成 2 顆 die ,每顆 die 為 16GB 容量、總共 32GB ,整個開發樣本採用 PCIe 3.0 x8 通道。

 

XPoint

 

其後, Intel 指直接指出 3D XPoint 記憶體相比 NAND 的傳輸速快 1000 倍、壽命亦長 1000 倍左右,儲存密度相對 DRAM  高 10 倍以上,具備了斷電後亦能繼續保持數據的特點,勢成下一代記億體技術指標。據了解, Intel 已於中國大連投資 55 億美元建設 3D NAND 工廠,相信有關產品將最快可於令年底問世,將支援 Kaby Lake 及 200 系列晶片組 。

XPoint

 

 

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