2016-10-07
劃時代研發成果 一口氣突破物理極限
Berkeley 實驗室成功製成1nm 電晶體
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 其它

美國 Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley 實驗室 ) 日前發佈一項震撼整個科技界的研究成果,宣佈成功打造了 1nm 電晶體管,無錯是 1 nm ,突破一直被業界喻為制程樽頸的 7nm ,一口氣跳至 1nm ,到達前所未有的物理界限。

 

現時市場上主流工藝制程為 14nm ,遵循摩爾定律, 2017 年正進入 10nm 工藝制程時代,積體電路上可容納的元器件的數目持續增加,效能更高功耗更低。日前美國 Berkeley 實驗室宣佈一項突破性發展,更可稱為劃時代科技研發。

 

Berkeley 實驗室宣佈成功製造 1nm 電晶體管,具體來說等尺吋為人類頭髮的十萬分之一,其突破一直被科技界認為是物理極限的 7nm ,因電晶體大小低於 7nm ,其物理形態上就會非常集中,並產生量子隧穿效應,為晶片製造帶來巨大挑戰,基本上要跨越極限所需的路途十分漫長。

 

1nm

 

Berkeley 實驗室所發表的 1nm 電晶體管採用奈米碳管及二硫化鉬( MoS2 )等材料打造,奈米碳管近年受到科技界重視,一直被視為取代矽的物料,而二硫化鉬主要用作引擎潤滑油,近年亦被發掘用於 LED 、太陽能池或雷射等科技上。

 

同時, 1 nm 的電晶體僅為 2-3 個原子般大小,而負責控制邏輯門中電子的流向的奈米碳管管壁僅 1 個原子厚度,能提升電晶體性能,再以 MoS2 取代半導體的職責,於更小線寬有效控制電子流。據了解, 1 nm 工藝制程目前仍處於研發初期,真正能夠應用於現實中仍有一大段距離,但此研究能提供科學界新方向及指摽,其影響深遠。

 

 

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