2016-11-18
率先採用10nm 工藝制程 加入QC4.0快充
Qualcomm Snapdragon 835 下年初面世
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 處理器 Qualcomm

Qualcomm 17 日宣佈下一代旗艦流動處理器 - Snapdragon 835 (QS835) 正式投產,預計內建 QS 835 的裝置將於 2017 年上半年面世,該處理器由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發,據稱採用 10 nm 工藝制程製造,並加入 Quick Charge 4.0 快充技術。

 

市場上主流高階手機 / 平板大部份均採用 Qualcomm Snapdragon 821 處理器,但很快將會改朝換代,因 Quclomm 近日發出消息指下代 Snapdragon 835 已經開始量產,由 Samsung 代工,將於 2017 年上半年正式面世。

 

暫時仍未公佈具體細節,據現時所知 QS835 將會進一步採用 10nm 工藝制程,意味內部更加精密及微細,晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ,有利開發者架設更佳硬件佈局。同時,效能上亦得到 27% 的提昇,功耗方面更減低 40% ,整體有利流動裝置的發展。


同時,新處理器加入了最新 Quick Charge 4.0 快速充電技術,據稱充電 5 分鐘可延長 5 小時使用時間,為用家提供更高效的充電效率,解決流動裝置電池續航力較低的問題。另外, QC 4.0 支援 USB-C 及 USB PD ,兼容度高,並採用了 Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ( 智能協調最佳電壓 ) 技術,能有效防止過熱問題出現,預防充電時爆炸的問題。

 

QS6

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