2016-12-08
Snapdragon 835 各項效能大幅強化
Qualcomm 積極加快10nm 發展時程
文: Samuel Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 處理器 Qualcomm

Qualcomm 上月正式透露即將推出 2017 年高階行動處理器 - Snapdragon 835 ,高調表示該處理器為業界首款採用 10nm 工藝製程處理,效能功耗大幅優化,雖然官方尚未正式公佈規格,但市場人士已得到該平台,並已進行評測,一賭為快。

 

Qualcomm Snapdragon 835 由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發,率先採用 10nm 工藝制程,官方表示,晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ,效能上亦得到 27% 的提昇,功耗方面更減低 40% ,更加入 Quick Charge 4.0 快速充電技術,整體令人期待。

 

據市場人士表示,相對近兩代均採用四核心為高階處理器構架的藍圖, Snapdragon 835 改用 8 組處理核心構成,時脈為 2.2GHz ,內建 Adreno 540 GPU ,繪圖效能比 Snapdragon 821 亦提升 30% ,效能頂級。

 

10nm Centriq 2400

10nm 工藝制程 Centriq 2400

 

另外,有市場人士已率先得到配備 Snapdragon 835 處理器的樣本手機,內建 4GB RAM 及運行 Android 7.0 系統,據 Antutu 得分顯示,該手機得分超 18 萬分,相對一直位居榜首的 Apple A10  (17 萬分左右 ) 更高出 1 萬分左右,顯示性能強悍。下代 Snapdragon 835 已經開始量產,將於 2017 年上半年正式面世。


另一方面, Qualcomm 還備有另一款 10nm 處理器 - Centriq 2400 ,其定位數據中心設計,最高可配置 48 個 ARMv8 可相容定制內核 - Qualcomm Falkor CPU ,內核針對數據中心常規運作負載作出加強,實現高性能與低功耗,據了解,已向主要客戶運送樣本,將 2017 年下半年正式商用化。

 

 

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