MSI P45 Diamond 正式在港上市，以全新 DrMOS 技術作主打，採用高效率整合式 MOSFET 、配搭全封閉式電感及 Hi-c Cap ，質素較同級最強，並追加 GreenPower 供電模組節能技術，不再讓 ASUS 、 GIGABYTE 專美。秉承 Diamond 系列豐富功能的特點， MSI P45 Diamond 加入水冷散熱設計，更隨產品附送 Creative SoundBlaster X-Fi 音效卡，力爭 P45 板王地位。
MSI P45 Diamond ︰ DrMOS 整合式 MOSFET
MSI 放棄與 ASUS 、 GIGABYTE 競逐供電模組的相位數目，新一代 P45 系列部份型號改用全新 DrMOS (Integrated Driver-MOSFET) 技術。傳統的供電模組設計，每一相位均會擁有 MOSFET Driver 、 High-side MOSFET 及 low-side MOSFET ，而 MSI P45-Damind 則採用了 Renesas DrMOS 晶片，型號為 R2J20602NP ，把 MOSFET Driver 、 High-side MOSFET 及 low-side MOSFET 同時整合於單一 QFN 封裝內，呎吋為 8mm x 8mm 。
相比現時的 MOSFET 主要採用 0.25 微米制程， Renesas DrMOS 晶片採用先進的 65nm 制程， 加上整合 MOSFET Driver 令 On/Off Timing 更為準確，在高負載下擁有更佳的穩定性。據 Renesas 指出， DrMOS 晶片負載流量比 GIGABYTE 、 ASUS 所用的效率 Power-PAK MOSFET 晶片高出 1.5 倍，有效轉換率提升約 25% ，而且溫度更低、壽命最高。
其實 Intel 早於 2000 年已向業者宣傳 DrMOS 技術的好處， 可是 DrMOS 晶片成本相比傳統 MOSFET 要高出 2.5 倍，根本沒有桌面主機板業者願意使用，現時主要用於伺服器主機板產品中， MSI 不惜功本把 DrMOS 技術用於桌面主機板產品中， P45 Diamond 採用 6 相 DrMOS 設計，絕對不讓 ASUS 傳統 16 相設計專美。
( 左 ) RENESAS DrMOS R2J20602NP ( 右 )DrMOS Bottom View
MSI P45 Diamond ︰ Hi-c CAP 超低 ESR 電容
為了進一步提升產品壽命， MSI P45-Diamond 除了整片產品採用全固態電容外，供電模組方面的電容採用更進階的 Hi-c CAP 高導電聚合物電容，全名為 Highly-conductive polymerized Capacitor 。
有別於傳統電容及固態電容， Hi-c CAP 正極是採用鋁箔或燒結鉭，介質是伴化鋁或氧化鉭，負極是則是固態高導電聚合物，雖然體積細少但卻擁有與傳統電容同等的電容量。
Hi-c CAP 的 ESR 亦比傳統液態及固態電容為更低，外觀上與過去主機板上所會採用的鉭質電容十分相似，在漣波電流、損失角等各方面的特性表現卻好上許多。
值得注意的是，一般電容的阻抗值會因工作頻率不同而大幅度提升，但 Hi-c CAP 電容則可以在各種不同的工作頻率下，依然保有低阻抗的特性表現，進一步提升處理器電源的轉換效率。
耐久性方面，一般固態電容的在 85oC 平均壽命為 2 萬小時，但 Hi-c CAP 在同樣環境下則可達 4.48 萬小時，壽命提升 1 倍。
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