2017-07-04
BiCS FLASH 單個封裝實現 1.5TB 容量
Toshiba 開發全球首款 QLC 3D NAND FLASH
文: Cherry Kwok / 新聞中心

Toshiba 在近日發佈了全球首款的 QLC NAND Flash ,為一款採用 BiCS FLASH 架構的 3D NAND 記憶體晶片,全新的 BiCS FLASH 是第一個提供 4-bit-per-cell 單元技術的產品,性能能夠超越了 TLC 設備,單顆容量可以做到 768Gb(32GB) ,日後將能為用家帶來容量更大、更低成本的 SSD 產品。

 

據 Toshiba 指出 ,全新推出的 QLC 技術能為現時的記憶體市場帶來了一系列新技術及挑戰, Multi-bit cell 多位單元記憶體透過管理每個儲存單元中的電子數來儲存數據, QLC NAND 在相同的電子數目內增加一個 bit-per-cell 單位比特數,為現時 TLC 技術的兩倍, Toshiba 利用其全新的記憶體技術,採用先進的電路設計及業界領先的 64 層 3D NAND 製程技術,打造了全新的 QLC 3D NAND Flash 。

 

採用 64 層 3D NAND 製程技術的 QLC Prototype ,擁有世界最大的晶片容量 768 gigabits/96 gigabytes , QLC 3D NAND Flash 還能於 1.5 TB 容量中採用單個封裝及支援具有 16-die 堆疊架構。由於 QLC 採用了 4-bit-per-cell 設計,每個單元內都有多達 16 種不同的電壓狀態,相較 TLC NAND 更多。另外為了避免讀寫錯誤,主控搭配 QLC NAND 時也必須支援更高級的 ECC 除錯,故此 Toshiba 亦提供了自家的 QSBC 除錯技術,並擁有多達 1000 次左右的 P/E Cycle 。

 

Toshiba 表示, 全新 64 層 256-gigabit (32 GB) 記憶體產品已在量產階段,並將繼續推動全新技術及進行更全面的開發,全新的 QLC 產品會專注於滿足日益增長的高密度、更小晶片尺寸的記憶體解決方案的需求,並會應用於企業級 SSD 、消費型 SSD 及儲存記憶卡等產品之中。

 

Toshiba QLC

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