2017-09-19
Intel 北京召開技術及製造大會
公佈 10nm 工藝製程消息
文: Cherry Kwok / 新聞中心
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Intel 在 9 月 19 日北京召開的 Technology and Manufacturing Day 技術及製造大會上公佈了 10nm 工藝製程的消息,披露其全新功率及性能更新、 Intel 首款 10nm FPGA 高級計劃及正在為數據中心應用、業界首款商用 64-layer TLC 3D NAND 。

 

Intel 一直按照 Moore’s Law 摩爾定律的製造流程,不斷推進矽技術及推動行業發展,根據摩爾定律 Intel 不斷提高產品能源效率,降低每一代晶體管的成本。在研發製造業方面的無與倫比的規模和規模,使 Intel 不斷保持行業領先地位,推動創新,為廣大客戶及消費用家提供領先的產品。

 

Intel 10nm 技術擁有世界上最緊湊的晶體管和金屬間距,採用 Hyper Scaling 超微縮技術創造出最高密度的行業,同時 Intel 充分運用了 multi-patterning schemes 多圖案成形設計,可以協助 Intel 延續 Moore’s Law 摩爾定律的經濟效益,從而推出體積更小、成本更低的晶體管。

 

Intel 10nm

Intel 10nm

Intel 10nm

 

在工藝方面, Intel 10nm 製程的最小柵極間距從 70nm 縮小至 54nm ,且最小金屬間距從 52nm 縮小至 36nm ,尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米 1.008 億個晶體管,是之前 Intel 14nm 製程的 2.7 倍,大約是業界其他 “10nm” 製程的 2 倍。性能上相比之前 14nm 製程, Intel 10nm 製程提升高達 25% 的性能和降低 45% 的功耗。

 

Intel 亦首次展示以最新 10nm 製程技術所打造的晶圓,這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分,並將會在 2017 年底前正式投產 10nm 製程技術的處理器。

 

Intel 10nm

Intel 10nm

Intel 10nm

 

在會上, Intel 亦為 Intel 22FFL 提供了電源和性能更新,這是一款引人注目的低功耗 FinFET 技術,用於移動應用,首次在 Intel 三月份 San Francisco 舉行的「 Technology and Manufacturing Day 」推出,這些更新包括具有超過 2GHz 的最佳 CPU 性能,超低功耗超過 100x Lower Leakage 。

 

Intel 公佈了使用 10nm 工藝技術和代工平台的下一代 FPGA 的高層次計劃,代號為「 Falcon Mesa 」, FPGA 將提供新的性能水平,以支援數據中心、企業及網絡環境日益增長的頻寬需求。

 

Intel 10nm

 

在去年 8 月的「 IDF2016 」開發者論壇上, Intel Custom Foundry 宣布與 ARM 達成協議,以加速 Intel 10nm 工藝中 ARM SoC 的開發及實施,該合作其中顯示了包含 ARM Cortex-A75 CPU 內核的 10 nm 測試芯片晶圓,採用行業標准設計流程,可實現超過 3GHz 的性能。

 

Intel 還透露專為數據中心應用的業界第一個 64-layer 、 TLC 三層單元、 3D NAND SSD 固態硬碟的出貨資料,旨在幫助客戶顯著提高儲存效率,該產品自 8 月初以來一直運送到選擇頂級雲端服務的供應商。 Intel 在過去三十年來在記憶體方面開發的專業知識,已優化了 3D NAND Floating Gate 架構及製造流程,迅速從客戶端產品擴展到今天的數據中心固態盤產品。到 2017 年年底,該產品將在更大範圍內上市。

 

Intel 10nm

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