2017-10-02
供需由緊俏轉爲平衡
2018 年 NAND Flash 供給年增 42.9%
文: Cherry Kwok / 新聞中心

記憶體儲存研究 DRAMeXchange 指出, 2017 年 NAND Flash 產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動,加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下,供不應求的狀況自 2016 年第三季起已持續六個季度; 2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9% ,需求端將成長 37.7% ,整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。

 

從 NAND Flash 的供給面來看,因為 NAND 製程從 2D 轉進 3D 不如預期,導致 201 7 年非 Samsung 陣營的新增產能沒有百分之百完善利用,再加上轉換期間所帶來的產能損失,讓 2017 年市場呈現整體供不應求的狀態, 2018 年隨著非 Samsung 陣營供應商在 64/72 層 3D-NAND 製程成熟後,整體 NAND Flash 產業供給量年成長率預估將達 42.9% 。

 

然而,觀察 2018 年需求面狀況,在第一季淡季影響下,智慧型手機、 PC 、平板電腦等出貨量預期都將比 2017 年第四季來得明顯下滑,綜觀供給與需求面狀況, 2018 年 NAND Flash 市場將從供不應求轉為供需平衡。

 

2017 年在非 Samsung 陣營 3D-NAND 製程轉換不順的影響下, 3D-NAND 產出占 NAND Flash 整體產業比重約 50% , 2018 年隨著 SK-Hynix 、 Toshiba/WD 、 Micron/Intel 陣營的 3D-NAND 比重都將提升的情況下, 2018 年 3D-NAND 的產出占比將突破 70% 大關。

 

從各廠製程進度來看, Samsung 64 層 3D-NAND 自今年第三季已經開始進入量產階段且今年第四季 3D 產能比重將突破 50% ,明年將提升到 6 0-70% 水準。 SK-Hynix 今年第四季 3D-NAND 產能占比約為總產能的 20-30% 水準,以 48 層 3D-NAND 為主,但明年將會專注於擴充 72 層 3D-NAND 產能, 3D-NAND 產能比重在 2018 年第四季也會來到 40-50% 。

 

Toshiba/WD 陣營今年上半年主流製程為 48 層 3D-NAND ,預期今年第四季 3D-NAND 的占比將會占 Toshiba/WD 陣營整體產能約 30% 水準, 2018 年第四季目標突破 50% 。在產能規劃上,新的半導體廠房 Fab6 在 2017 年 3 月已開始動工興建,預計在 2019 年才會開始量產最新的 3D-NAND 產品。值得注意的是,由於 Toshiba 與 WD 目前對於新廠的合作態度與先前有所不同,所以日後可能仍有變數存在。

 

Micron/Intel 陣營今年上半年 32 層 3D-NAND 的產出已有穩定的經濟規模,並在今年第三季度起已開始量產 64 層 3D-NAND ,目前良率已達量產水準,今年第四季 3D-NAND 產能比重有機會來到 40-50% 。 2018 年隨著 Intel 將擴充中國大連廠第二期產能,其 3D-NAND 比重將於明年第四季提升到 60-70% 水準。

 

DRAMeXchange

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