2017-11-14
Intel 宣佈 IM Flash Fab B60 擴建完成
將全力投入生產 3D XPoint 技術產品
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 INTEL

Intel 在今日宣佈與 Micron 合作在美國 Utah LEHI 架建的 IM Flash 晶圓廠 Building 60 已完成擴建,該晶圓廠將主要生產 3D XPoint 技術及採用 Intel Optane Technology 為基礎的產品之中,包括消費用戶端的 Intel Optane Memory、最新推出的 Intel Optane SSD 900P Series 以及 Intel Optane SSD DC P4800X Series 等。

 

Intel 與 Micron 合資的 IM Flash 晶圓廠成立於 2006 年,為 Intel 與 Micron 生產 non-volatile memory ( NVDIMM ) 非揮發性記憶體,並負責生產用於 SSD、手機、平板電腦等產品中的 NAND Flash。IM Flash 晶圓廠於 2015 年開始研發 3D XPoint 技術,這是 25 年來第一個全新的記憶體方案,該技術的開發是為了滿足不同類型客戶快速增長的數據需求。

 

IM Flash Fab

IM Flash Fab

 

3D XPoint 架構的非揮發性記憶體運作原理是以快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物作材料,使用電阻並且是位元可尋址,基於「 bulk 材料的電阻變化」,從而比傳統的快閃記憶體於讀寫運作上更快、更穩定,而且各個資料單元不需要電晶體,因此封裝密度將是 DRAM 的 4 倍。

 

Intel Optane

 

3D XPoint 於存取速度及延遲值上將有著可媲美 DRAM 的性能表現,但價格卻是 DRAM 的一半左右,速度上相較傳統 NAND 快閃記憶體快 1000 倍及耐用可高達 1000 倍,即最少一百萬覆寫次數,比起 NAND 快閃記憶體能耐的 3000 至 10000 覆寫次數高出很多,即使有 Trimming 跟 Over Provisioning 的提升也只是接近十萬覆寫次數,但價格方面會比 NAND 快閃記憶體貴 4 至 5 倍。

 

Intel 最近宣佈推出用於 Desktop 及工作站 PC 的 Intel Optane SSD 900P 系列亦採用 3D XPoint,在低隊列深度工作負載下提供令人難以置信的低延遲、最佳的隨機讀取及寫入性能。此外,Intel 亦擴展了針對數據中心的 Intel Optane 技術產品,推出 750GB 容量、2.5" U.2版本的 Intel Optane SSD DC P4800X 系列,預計將會陸續有基於 3D Xpoint 技術的儲存產品推出市場。

 

Intel Optane SSD 900P

 

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