2017-11-15
儲存密度遠高於目前 DDR4 DRAM
Intel Optane DIMM 2018 年下半年推出
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 INTEL

Intel 最新在剛剛完結的 USB Global Technology Conference 中公佈了 Optane DIMM 的推出時程,透露了將會在 2018 年下半年推出,Intel 把 Optane DIMM 描述為未來一款主要的儲存設備,將採用自家研發的 3D XPoint 技術,並預計 Optane DIMM 將能夠比現有的 DDR4 DRAM 提供更高的密度及更低的價格。

 

Intel 表示,Optane DIMM 具有廣泛的應用用途,適用於 Intel 不同的戰略計劃 ( 如 RSA 機架擴展架構 ) 之中,並表明基於 3D XPoint 技術的 Optane DIMM 非常適合用於 Exascale Supercomputing 超級運算平台的開發,能夠通過提供更密集且持久的方式拉近與處理器之間的距離,優化數據傳輸效率。

 

Intel Optane DIMM

 

Intel Optane DIMM 將會是現時記憶體的進階產品,其儲存密度將遠高於目前的 DDR4 DRAM,同時價格亦較 DDR4 DRAM 更低 ,Optane DIMM 標誌著二十多年來記憶體的最大變化,結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點,具有 DRAM 的速度及低延遲,同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度,即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。

 

據了解, Intel 首先會將 Optane DIMM 推廣至 HPC、虛擬化及公共雲端等伺服器及數據中心之中,日後亦將會普及至消費用戶市場,Intel 預計到 2021 年基於 3D XPoint 技術的記憶體將為其打開 80 億美元的龐大市場,至於 Optane DIMM 實物有望在 2018 年下半年看到。

 

Intel Optane DIMM

Intel Optane DIMM

 

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