2017-11-15
DRAM營收再創新高 2017 Q3升16.2%
Q4 DRAM合約平均價已突破 30 美元
文: Cherry Kwok / 新聞中心

DRAMeXchange 日前公佈記憶體儲存研究調查報告,指出 2017 年第三季度的 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高,受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限,各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察,第三季度 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%,整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。

 

展望下一個季度,2017 年第四季 DRAM 價格平均漲幅將落在 10%。其中,PC-OEM 廠已議定第四季度合約價格,就一線大廠訂價來看,均價已正式突破 30 美元,落在 30.5 美元,較上一季平均漲幅約達 7%;從市場面來觀察,此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動,配合 DRAM 供給吃緊的狀況延續,以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應,以 Samsung 為首的 DRAM 廠決定調升行動式記憶體報價,而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受,因此行動式記憶體在第四季漲幅約有 10-20% (取決於不同的容量);而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁,第四季度合約價繼續上漲 6-10%。

 

DRAMeXchange 2017 Q4

 

兩大韓廠第三季合併市占率達 74.5%,Micron 第四季可望縮小市占差距

 

綜觀第三季營收表現,Samsung 依然穩坐 DRAM 產業的龍頭,營收來到 88 億美元,較第二季成長 15.2%,再度創下歷史新高;而 SK-Hynix 營收金額來到 55 億美元,較前一季成長 22.5%,成長動能顯著,兩大韓廠的市占各為45.8% 與 28.7%,合計已囊括 74.5% 的市占率。Micron 仍舊維持第三,營收金額為 40 億美元,季增 13.0%,市占 21.0%。由於 SK-Hynix 本季平均銷售單價高於美光,導致兩者三季的市占差距持續擴張;展望第四季,由於 Micron 逆勢成為價格領導者,價格漲幅超越兩大韓系廠,預計將縮減與第二名的市占差距。

 

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益,Samsung 第三季度營業利益率衝破 60% 大關,來到 62% 歷史新高;SK-Hynix 亦從第二季度的 54% 再提升至 56%;Micron 在 17nm 良率逐漸穩定下,營業利益率從 44% 來到 50%,成長最為顯著。展望第四季,受惠於 DRAM 價格持續上漲,各家獲利可望進一步提升。

 

DRAMeXchange 2017 Q4

 

Samsung 正思索擴產計畫,SK-Hynix 與 Micron 專注良率與製程轉進

 

觀察各廠技術與產能布局,Samsung 今年的目標除了專注於 18nm 製程的持續轉進外,近幾季 DRAM 同業的高獲利,亦刺激 Samsung 開始思索可能的 DRAM 擴產計畫,一方面因應供給吃緊狀況,另一方面則藉由提高 DRAM 產出量,壓抑 DRAM 價格上漲幅度。Samsung 此舉將可鞏固領先地位,維持與其他 DRAM 大廠 1-2 年以上的技術差距。

 

反觀 SK-Hynix 今年目標還是著重於 21nm 的良率提升與該製程占比,18nm 製程產品則預計年底會有小量出貨;至於擴廠計畫,SK-Hynix 在中國無錫新建的第二座 12 吋廠最快要到 2019 年才會有產能開出;而 Micron 方面,台灣 Micron 記憶體 (原瑞晶) 目前仍致力於改善 17nm 產品的穩定度,預期到年底良率可達 80% 以上,而台灣 Micron 晶圓科技 (原華亞科) 今年仍以 20nm 製程良率的提升為主,明年將可望有一半產能轉往 17nm 生產。

 

台系廠商部分,Nanya 第三季營收較前一季小幅成長 5.3%,主要因為該公司以利基型產品為主,價格上揚幅度不及國際大廠較完整的產品線。展望未來,由於該公司 20nm 良率繼續提升,將會持續改善成本結構,增加 Nanya 的獲利空間。力晶科技方面,DRAM季營收下滑 3.6 %,主因是替 NOR Flash、AP Memory 等代工的獲利佳,排擠部分 DRAM 產能;Winbond 方面營收則成長 8.7%,但由於後續製程轉進狀況不明,未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。

 

SAMSUNG DRAM

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