2017-11-20
挑戰對手 Intel 3D Optane SSD
Samsung 推出 SZ985 Z-NAND SSD
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Samsung

Intel 近期動靜多多,除了大家非常關注的新處理器及晶片之外,Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint,當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍,作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃,發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品,並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

 

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ,提供了一個獨特的電路設計及控制器,相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍,備有 800GB 容量選擇,採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面,官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read,隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

 

Samusng SZ985 SSD

Samusng SZ985 SSD

 

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較,在速度方面,Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能,但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面,Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs,兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。

 

Samsung Z-NAND 技術以新的方式配合 Samsung 現有的技術,取得成功的關鍵在於能夠提供優於 Intel Optane 儲存設備的傳輸性能,同時提供更低的價格,以性價比的方式取勝,明顯地,Samsung 希望藉由 Z-NAND 挫一下對手的 Intel 發展 3D XPoint 的銳氣,同時亦為著保護作為 NAND 設備儲存領導者的地位。

 

Samusng SZ985 SSD

外媒 Tom’s Hardware 比較圖

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