2017-12-06
用作取代手機 microSD 擴充卡
Samsung 下代旗艦手機將使用 512GB eUFS
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 最新宣佈已經開始批量生產業內首款 512GB eUFS 解決方案,以用於下一代移動設備,採用 Samsung 最新的 64 層 512-Gigabit V-NAND 晶片,為即將推出的旗艦智能手機及平板電腦提供新的 512GB eUFS 封裝 。

 

Samsung 全新 512GB eUFS 解決方案由 8 片主控制器封裝而成,使用 Samsung 64 層 512Gb V-NAND 晶片,是以往 48 層 V-NAND 256GB eUFS 的兩倍,全新的高容量 eUFS 可讓旗艦型智能手機能夠存儲大約 130 段 10 分鐘的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 視頻影片,而 64GB eUFS 只能存儲大約 13 部出高十倍之多。

 

性能方面,Samsung 官方資料顯示 512GB eUFS 的連續讀取最高可達 860MB/s、寫入 255MB/s,隨機讀取為 42,000IOPS、寫入 40,000 IOPS,能夠在 6 秒內將 5GB 的全高清視頻片段傳輸到 SSD,速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍,讓用戶可以享受無縫的多媒體體驗,更有奕地進行高解析度連拍、文件及視頻下載雙應用程式搜索模式等。

 

為了最大限度發揮 512GB eUFS 的性能和能源效率,Samsung 推出了一套新的專有技術,512GB eUFS 控制器採用 64 層 512Gb V-NAND 先進的電路設計及新的電源管理技術,避免不必要的能源消耗,同時控制器晶片加速了由 Logical Address 邏輯區塊位址轉換為 Physical Address 物理區塊位址的過程。

 

同時,Samsung 計劃積極增加 64 層 512Gb 及 256Gb FLASH 的產能,並在未來用於 SSD 產品。

 

512GB eUFS

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