2017-12-07
基於 7nm 工藝、高達 2 倍性能提升
下代 HBM3、DDR5 技術參數首度公開
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體

RAMBUS 在數月前曾透露旗下的實驗室正研發下一代 DDR5 DIMM 記憶體模組,並在日前正式公開相關的產品規格,據 Rambus 的規劃顯示 HBM3 將基於 7nm 工藝製造,將較現有的傳輸提升多達 兩倍至 4 GT/s 速率,封裝架構更加複雜。

 

外媒 Computerbase 涉露了 RAMBUS 最新的規劃圖,根據官方數字,兩種記憶體標準將擁有以下的升級:HBM3 將提供兩倍或以上的性能,而 DDR5 標準亦較現時的 DDR4 標準提供 1.5 倍到兩倍的性能,這兩個標準都將採用 7nm 工藝製造。

 

在現時的 HBM2 技術下,數據傳輸可以達到 256 GB / s,擁有 1024-bit 位寬及 2 GT/s 的頻寬速度,新一代的 HBM3 則預計可提升至4 GT/s頻寬速度,按照單晶片 1024bit 介面,最終的數據傳輸可以達 512 GB/s 至 1 TB/s。有別於 CPU 與 GPU 在各代之間擁有極快的性能擴展,相信 HBM3 技術可為高階的 GPU 提供更大幅的效能提升。

 

RAMBUS 7nm

RAMBUS 7nm

 

至於 DDR5 記憶體,設計目標 I/O 頻寬為 4.8 GT/s 至 6.4Gbps ( DDR4 平均為 3.2 GT / s ),擁有 51.2GB/s 總頻寬,時脈為 4800~6400MHz,預取位數 16bit,較 DDR4 標準約有1.5 ~ 2倍的性能提升。

 

其實在今年 9 月,RAMBUS 已聲稱其實驗室已成功完成第一塊 DDR5 驗證產品,電壓還只有 1.1V。然而,值得留意的是,最快亦要到需要到 2019 年底或 2020 年之前才能看到 HBM3/DDR5 實物,就看看 AMD 會否比 RAMBUS 更進一步推出基於 HBM3 技術的產品。

 

RAMBUS 7nm

RAMBUS ddr

 

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