2018-02-08
中國政府或將與 Samsung 簽署協議
盡可能在 2018 年壓抑 DRAM 價格漲幅
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

正如大家所見,DRAM 產品如繪圖卡記憶體、DDR4 記憶體等,在近兩年價格不斷飆升,在去年底,就有消息指中國國家發展和改革委員曾與 Samsung 約談,關注儲存晶片價格問題,DRAMeXchange 在日前報導,指出 Samsung 及中國政府將簽署“諒解備忘錄”,以保護 DRAM價格保持在可接受的範圍內。

 

中國政府在新的 一年宣佈調查之前對發改委進行的監管 ,國家發改委負責中國國務院的宏觀調控工作。由於製造晶片的許多東西基本上都是在中國製造的,同時亦是資源最缺乏的地方,因此更高的價格可能造成一個長期的對亞洲地區經濟的影響。

 

這就是國家發改委現在主動干預DRAM價格的原因,Samsung是大型的記憶體生產企業之一,因此發改委希望藉著與 Samsung 雙方簽署 MOU 諒解備忘錄,協議將涵蓋了更高的產量,並希望可以壓抑 DRAM 價格漲幅。

 

在下面的例子中可以看到,G.Skill Ripjaws DDR4 16GB 記憶體,在 2015 年以 75 歐元/美元飆升至幾乎 190 歐元/美元的價格。

 

DRAM

 

DRAMeXchange 最新發出的報導,在過去六個季度 DRAM 價格的攀升加大了中國智能手機品牌的成本壓力。因此,中國國家發展和改革委員會(NDRC)已於 2017 年底對 Samsung 表示擔憂。根據 DRAMeXchange 的數據,預計干預措施將緩和移動 DRAM 在 1Q18 的價格上漲。

 

據了解,韓國政府支持下的 Samsung 電子正與發改委簽署諒解備忘錄(MOU),諒解備忘錄據信包括半導體行業進一步合作的細節,如擴大在中國的投資和技術合作。近年來,中國仍然是國內和出口需求驅動的最大記憶體晶片進口國。因此,Samsung 必須尊重並回應中國的意見。

 

DRAMeXchange 指出,由於記憶體價格延續呈現超過 6 個季度的上漲,造成數家中國智慧型手機品牌廠不堪成本壓力,因此在去年年底,中國發改委員會正式對 Samsung 半導體表達不滿,進一步造成第一季行動式記憶體的漲幅有所收斂。近日也傳出韓國政府偕同 Samsung 將可能在近期與中國發改委簽署備忘錄,內容將涵蓋在半導體領域的相關合作,其中包含擴大在中國投資以及技術合作的可能性。

 

由於中國地區在近年內是記憶體產出的最大出海口,不管是國內需求或是外銷,透過中國所購買的記憶體比重持續增加,因此,對於中國市場的抗議,Samsung 必須給予尊重及反應。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出,此次事件將可能對未來記憶體產業產生以下兩種影響:

 

一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態,但未來漲幅將受抑制

就 DRAM 領域來看,目前供應商在生產行動式記憶體的獲利遠低於其他產品別,而受到第一季智慧型手機的低迷需求影響,再加上中國發改委的動作,預期未來價格漲幅將更受抑制。

 

展望未來,供應商預期會持續將現有的產能從行動式記憶體轉向更高毛利產品,造成其他產品別的價格漲幅也進一步收斂。

 

二、供應商為避免價格漲幅過高,新增產能的可能性增加

其次,在 NAND Flash 領域,2018 年由於 3D NAND Flash 的比重持續提高,因此供貨吃緊的狀態較去年大幅改善。然而,觀察 DRAM 供給,由於目前並未有新增產能貢獻位元產出,造成 2018 年仍屬供不應求狀態。

 

DRAMeXchange 分析,為因應中國官方代表本土企業對於記憶體價格持續上漲所表達的強烈不滿,對供應商而言,在漲價受到抑制、成本下降不易的考量下,新增產能的可能性與時程皆可能轉趨積極,透過增加產能來貢獻位元產出不僅可以維持價格穩定,也希望藉此維持該企業在 DRAM 產品的絕對獲利。

 

RAM

 

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