2018-03-14
Samsung NAND Flash 晶圓廠出現事故!!
停電半小時導致 6 萬片晶圓報廢
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

據 Digitimes 最新消息,Samsung 位於 Pyeongtaek 平澤的 NAND Flash 晶圓廠在 3 月 9 日出現停電事故,市場觀察人士稱,在 Samsung NAND Flash 晶圓廠半小時停電期間,大約 5,000-60,000 個晶圓被損壞,三月份受損的晶圓相當於 Samsung 整體 NAND Flash 產量的 11%左右,TechNews 預計損失相當於 3 月份的全球供應的 3.5% 左右。

 

Samsung 方面則表示,雖則 NAND Flash 晶圓廠停電約半小時,但備用電源 ( 設計為 20 分鐘 ) 的有效啟動應對了突發狀況,所以不會對 NAND Flash 運營造成顯著影響。

 

根據 DRAMeXchange 的數據,NAND Flash 市場在 2018 年第一季度出現了輕微的供過於求的局面,這是因為去年缺口明顯時,主要 NAND Flash 晶圓廠均加碼提升產能和良率,同時主要供應商亦提高 3D NAND Flash 的產量,加上終端市場需求增長因季節性因素而放緩,NAND 合約定價保持平穩或略有下降。

 

至於受 Samsung 停電事故的影響,行業消息人士稱這一事件將能夠在未來幾週影響整體市場供應和價格。

 

Samsung

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