2018-03-24
256GB 記憶體不是夢
Samsung 發佈單條 64GB DDR4 記憶體
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 在剛剛舉行的 Open Compute Project 2018 峰會上,隆重展示了旗下全新為數據中心而設,容量高達 64GB 的 DDR4 記憶體,基於 Samsung 最新 16Gb (2GB) 顆粒,該設計還能夠為未來的高性能伺服器提供 128GB 及 256GB 記憶體模組。

 

Samsung 全新展示的 64GB DDR4 記憶體基於標準的 1.2V 電源,基於 16GB DDR4-2666MHz DRAM 晶片,屬於面向主流伺服器的 RDIMM 類型,顆粒製造工藝非常先進但未具體披露 (應該就是 10nm 級別),號稱功耗比此前的 8Gb 顆粒降低了 20%。該組 64GB 記憶體採用雙 Rank 配置,Samsung 亦正在開發 4 Rank 128GB RDIMM、8 Rank 256GB LRDIMM。

 

64GB DDR4

 

Samsung 指出,由於 AMD EPYC 系列及 Intel Xeon Scalable M 系列處理器可以同時管理 12 或 16 組記憶體插槽,因此可以在下一代處理器支援高達 4TB 容量的記憶體,Samsung 亦展示了搭配 Intel Xeon、AMD EPYC 處理器使用的平台,若果插滿 256GB 記憶體模組的話,單路總容量分別可達 3TB、4TB。

 

在未來的日子,Samsung 可基於這些新晶片為高階 PC 市場提供更高容量的記憶體,並利用新的顆粒打造單條 32GB UDIMM,高階 PC 將來就可以支援最高 256GB 的記憶體。

 

64GB DDR4

 

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