2007-10-02
DRAM上週現貨價先跌後反彈
預期十月上旬合約價格持續向下
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

上周 DRAM 現貨市場呈現先跌後反彈的走勢, DDR2 512Mb 667MHz 小幅下跌 2.03% ,以 1.45 美元做收,而 DDR2 512Mb eTT 價格反彈至 1.23 美元,上漲幅度達 5.13% 。現貨市場反彈主要的原因主要有二,一為跌深反彈, DDR2 512Mb eTT 創下 1.10 美元的新低;二為 Hynix 因現貨市場價格跌幅太大,暫時停止供貨至現貨市場。市調機構 DRAMeXchange 預測,目前 DDR2 512Mb eTT 均價與 667MHz 低價已經相當接近,若品牌顆粒未順勢反彈,將壓抑整體現貨市場反彈趨勢。

至於合約市場方面,最近市場上甚至見到部份 1GB 模組,以 25 美元新低價格成交,而此一成交價將對十月上旬合約價造成相當程度之壓力。目前雖逢 PC 出貨旺季,然而 OEM 手上存貨充裕,並沒有積極備貨之意願,因此 DRAMeXchange 預期十月上旬合約價格將持續向下修正,幅度可能較上次為大月下旬 NAND Flash 合約價持續向下修正

NAND Flash 方面,九月下旬合約價平均降幅在 2-15% 左右,其中以主流 8Gb 和 16Gb 的 MLC 顆粒降幅較大,主要是反應主要供應商 5X nm 新製程產出比重從今年第四季起將逐漸增加,生產成本相對下降、十月開始供貨量的提升,以及供應商在第三季季底和中國十一長假前對客戶的促銷策略。至於 SLC 顆粒則因市場供給量逐漸減少,所以此次合約價格的跌幅相對於 MLC 來說就顯得比較小。

展望今年第四季 NAND Flash 市況,目前各國政府正在通力合作穩定國際金融與經濟環境,而且廠商的持續降價策略也有助於刺激第四季的買氣與新興市場的新商機,因此十月份仍然是傳統的年底旺季 NAND Flash 備貨需求高原期。由於九月的 NAND Flash 合約價已經提前大幅向下修正過,因此 DRAMeXchange 預期,短期內 NAND Flash 合約價繼續向下修正的幅度將明顯縮小。

 

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