2009-02-12
SanDisk、Toshiba推出X4快閃記憶體
採用43nm制程 09年上半年投產
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Toshiba SANDISK

Sandisk 宣佈即將大量生產採用 4-Bits-Per Cell (X4) 技術的 MLC 快閃記憶體,採用 43nm 制程支援單顆 64Gb 容量,採用 X4 技術的 MLC 快閃記憶體,內建 X4 記憶體晶片及 X4 控制器晶片,共同結合於多晶片記憶體模組 (Memory Multi-Chip Package ,簡稱 MCP) 內,抄寫速度對比現時多層式晶片技術提升至每秒 7.8MB ,將是是世上最高容量及密度的快閃記憶體單顆粒, 2009 年上半年正式投產。

 

SanDisk 一直與 Toshiba 合作發展及生產先進的快閃記憶體,今次將共同在 43nm 面積上研發 64Gb X4 快閃記憶體技術,此嶄新的 43nm 64Gb X4 晶片是世上最高容量及密度的快閃記憶體單顆粒,並於今年投入生產,抄寫速度對比現時多層式晶片技術提升至每秒 7.8MB 。 SanDisk 專利的 All –Bit-Line ( 簡稱 ABL) 架構及最近面世的三步程式 (three-step programming ,簡稱 TSP) 及順序意式概念 (sequential sense concept ,簡稱 SSC) 乃是 X4 超卓表現的主要元素。

 

此外, SanDisk 發展多項先進系統管理的創新應用程式,以解決 4-bits-per-cell 的繁雜技術所帶來的問題。由 SanDisk 研發及擁有的 X4 控 制器,利用首個專為儲存系統而設的改錯碼 (error correcting code ,簡稱 ECC) ,並支援 4-bits-per-cell 所需的 16 層分配模式。

SanDisk 記憶體科技及產品發展高級副總裁 Khandker Quader 表示, X4 記憶體及控制器技術不但為 SanDisk 帶來長遠重大的裨益,更為未來 NAND 快閃技術的提升扮演重要角色。 64Gb X4 乃匯聚多項重大發明的成果,顯示 SanDisk 在推進高效能、低成本 multi-bit 快閃記憶體上的優勢,至為適合佔用大量記憶體的音樂、電影、相片、 GPS 及電腦遊戲等應用程式。

 

SanDisk 未來科技及創新部副總裁 Menahem Lasser 則表示,生產具超卓表現及低成本的 4-bits-per-cell 技術最根本的挑戰是在多層式儲存上需要先進系統創新,幸而我們的 X4 控制器 技術配合記憶體管理及單一處理系統能完全符合 4-bits-per-cell 記憶體的獨特需求,並顯示 SanDisk 超卓能力把繁雜的記憶體應用程式概念 化及投入生產。」

 

SanDisk 及 Toshiba 將於今日的 2009 國際固態電路會議 (ISSCC) 上,呈交一份技術論文 X4 快速記憶體技術,關於研發了在 43nm 64Gb 4-bits-per-cell NAND 快閃記憶體的突破性技術。

 

X4

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