2007-10-22
AMD下代南橋支援HyperFlash技術
採用OneNAND PC業者可自行生產
文: John Lam / 新聞中心
文章索引:AMD IT 要聞

為配合新一代作業系統 Vista 新增了 ReadyBoost 及 ReadyDrive 技術, Intel 於 4 月中發佈的新一代 Centrino 平台 Santa Rosa 中,加入了全新的 Turbo Memory 技術,能配合 ReadyBoost 技術提供作業系統及應用程式的啟動效率,而 AMD 亦不敢怠慢,將會於新一代 SB700 南橋中,加入全新 HyperFlash 技術應戰,此技術將會採用 Samsung 的 OneNAHD Flash 模組,體積細小並有效減成本。

據 Microsoft 指出,新一代 Windows Vista 作業系統的 ReadyBoost 及 ReadyDrive 功能,能縮減作業系統及應用程式的啟動時間,為硬碟機造成更大的緩衝容量,提升讀寫時間,並減少硬碟啟動及轉動次數,降低硬碟的耗電,進一步提升電池續航力,而 Intel Turbo Memory 技術皆支援以上兩項功能,令運作 Vista 時能效表現更佳。

為抗行 Intel Turbo Memory 技術, AMD 計劃於 SB700 南橋中加入全新的 HyperFlash 技術,它將會把 Flash Controller 線路與 IDE Bus 腳位整合,支援 Samsung OneNAND 晶片,最高支援 4 die ,晶片時脈為 80MHz , 16Bit 介面最高傳輸速度為 108MB/s ,並聲稱相比 Intel Turbo Memory 快 30% 。

現時, HyperFlash 所採用的模組是由 Molex 設計, PC 業者可自行生上 HyperFlash 卡,可支援 512MB 、 1GB 及 2GB 容量,相比 Intel Turbo Memory 必需由 Intel 自行生上, HyperFlash 吸引自然較高,如果 HyperFlash 行銷策成功,將有望迫使 Intel 把 Turbo Memory 生產下放給 PC 廠商。

根據 AMD 晶片組最新規劃, SB700 南橋正處於 A12 樣本階段,預計 DVT Samples 將會在 11 月初試產, 12 月正式量產,不過量產後初期 HyperFlash 功能只會在 Beta 驅動程式中提升,支援 HyperFlash 的正式版本驅程式預計要在明年 2 月才會上陣。

圖左下為 HyperFlash 模組設計,圖右上為 HyperFlash 模組卡工程樣本。


AMD HyperFlash

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