Intel 对外透露全新的物料 P Channel 及 N-Channel 电晶体组合，可以协助处理器减低所需功耗，未来的处理器的耗电量甚至可以是现时处理器的十分之一，效能可望进一步提升，系统体积亦可进一步缩少。

在 Intel 最新的研究报告中透露了有关 P-Channel Transistor 的资料，这是一种复合半导体，也称为 III-V 物料，因为它就是硅晶体週期表的列于第四週期表中，据研究指出它拥有极高的效率及极低电阻表现，而 Intel 早前于透露了採用 III-V 物料的 N-Channel Tranistsor ，同样将会使用在处理器制程技术上。

据 Intel 指出，当 P-Channel Transistor 及 N-Channel Transistor 复合应用后，所制造出的 CMOS 逻辑晶片比传统物料可减低一半的电压，而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研发创新技术将会用于处理器量产用，将可令处理器效率进一步提高，容许更复杂的设计及减低了因功耗而出现的散热问题，系统体积亦可进一步缩少。

当前， Intel 已开始进行上述质材的量产可能性，希望可以在未来数年内实现创新。