2009-04-06
Intel發現全新複合矽晶技術
功耗可望降90% 將用於處理器生產上
文: Spike Lam / 新聞中心

Intel 對外透露全新的物料 P Channel 及 N-Channel 電晶體組合,可以協助處理器減低所需功耗,未來的處理器的耗電量甚至可以是現時處理器的十分之一,效能可望進一步提升,系統體積亦可進一步縮少。

 

在 Intel 最新的研究報告中透露了有關 P-Channel Transistor 的資料,這是一種複合半導體,也稱為 III-V 物料,因為它就是矽晶體週期表的列於第四週期表中,據研究指出它擁有極高的效率及極低電阻表現,而 Intel 早前於透露了採用 III-V 物料的 N-Channel Tranistsor ,同樣將會使用在處理器制程技術上。

 

據 Intel 指出,當 P-Channel Transistor 及 N-Channel Transistor 複合應用後,所制造出的 CMOS 邏輯晶片比傳統物料可減低一半的電壓,而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發創新技術將會用於處理器量產用,將可令處理器效率進一步提高,容許更複雜的設計及減低了因功耗而出現的散熱問題,系統體積亦可進一步縮少。

 

當前, Intel 已開始進行上述質材的量產可能性,希望可以在未來數年內實現創新。

 

Silicon Avalanche Photodetector

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