2009-06-18
GIGABYTE下代P55系列行銷佈局
GA-EP55-UD4P工程樣本搶先預覽
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: 封面故事 IT要聞 GIGABYTE

全球通路主機板市場四成市佔, Intel 主流級平台成為了兵家必爭之地,各大 MB 廠商已經開始為即將於 9 月上市的新一代 Intel 平台主流級晶片組 P55 造勢,此次我們將分析 GIGABYTE 新一代 P55 主機板系列產品行銷佈局,並為讀者帶來 GA-EP55-UD4P 工程樣本預覽。

 

此片 GIGABYTE P55 主機板工程樣本,型號為 GA-EP55-UD4P ,讓香港讀者可以率先一睹 Intel 下一代效能級平台,採用 ATX Form Factor 設計,尺寸為 305mm x 244mm , 4 Layers PCB 設計,晶片組採用 Intel P55 系統晶片,處理器接口為 LGA 1156 ,支援下一代 Intel Lynnfield 處理器 ( 暫定市場名稱為 Intel Core i5) 。雖然並不是最頂級型號,但規格仍然十分強勁, Ultra Durable 3 、 2oz Copper PCB 等技術當然少不了,連效能級型號也提升至 12 相位供電,為了提供更佳升級能力,主機板更規劃了加入 SATA 3 控制晶片,提供 4 組 SATA 6Gb/s 接口支援。

 

由於制程及晶片整合技術的進步,下一代 Intel Lynnfield 處理器已僅擁有運算單元,而是把北橋功能整合至處理器核心內,包括了記憶體控制器及 PCI-Express 控制器,新一代 P55 晶片已變成單晶片設計,主要機能僅為南橋作用,支援 14 個 USB 接口、 8 個 PCI-E x1 、 4 個 PCI 及 6 個 SATA 接口,與處理器之間的傳輸協定亦由 QPI 改為 DMI 。

 

以 Ultra-Durable 3 技術成行銷骨幹

 

EP55

 

分析 GIGABYTE GA-EP55 系列的市場佈局,仍會以高質素用料作號召,其招牌技術 Ultra Durable 3 仍會是產品的主要行銷骨幹,採用高階日系固態電容設計, 更針對主機板 CPU 周邊零組件做強化設計,採用高品質亞鐵塩芯電感 (Ferrite Choke) 及低電阻式電晶體 (Lower RDS(on) MOSFET) 等高階被動元件,使處理器能得到穩定的供電,並強化系統用電效率及降低運作溫度,從而提升主機板的超頻穩定性。

 

與上代 Ultra-Durable 2 的主要分別在於針對 Power 及 Ground Layer 部份,採用了 2oz 銅膜,其擁有三大好處,首先透過擁有比 1oz 銅膜一倍的導熱性的 2oz 銅膜,主機板上的整組件產生的熱量能迅速地把它分散於主機板 PCB 上,從而加快熱力傳導致空氣中。

 

其次由於 2oz 的銅膜將比 1oz 的銅膜有更低的電阻性,其低電阻性不單減少了廢熱的產生,同時亦減低因超頻時電壓提升而令到主機板線路超過銅模負荷,使其損壞或金屬疲勞的機會,讓主機板更穩定、更耐超。

 

最後一個好處是  2oz 銅膜更能讓傳送的訊號變得較為清晰乾淨,讓主機板超頻時所需要電壓也相對減少,用家在超頻時就可以採用較一般主機板為低的電壓,達到超頻放果,同時亦意味著超頻幅度可望更加提高。

 

供電模組的相位數目競賽

 

近年 GIGABYTE 與 ASUS 在高階主機板市場上掀起高規格用料大戰, ASUS 率先採用 16 相供電設計作招來, GIGABYTE 則以 2oz Copper PCB 迎戰,雙方各不相讓,為了不讓對手的相位數目比下去, GIGABYTE GA-EP55 系列完全豁出去,頂級型號 GA-EP55-UD5 將會由 12 相位供電升級至 24 相位供電,而效能級型號 GA-EP55- UD4P 、 GA-EP55-UD4 、 GA-EP55-UD3P 及 GA-EP55-UD3 將會由 6 相位供電提升至 12 相位供電。

 

相位供電模組設計上改良,有助供電穩定性、溫度熱量、耐用性均明顯改善,擴大終極超頻空間,當然 trade-off 就是成本上漲,不利與對手進行價格競爭。不過, GIGABYTE 在生產成本及採購成本上本來就較 ASUS 為高,價格戰本來就不利 GIGABYTE ,以高規格避開價格戰絕對是明智的選擇, ASUS 會否繼續供電相位競賽亦成為市場點所在。

 

全線支援 SATA 6Gb/s 、週邊功能再提升

 

GIGABYTE 主機板一向以功能作為賣點, GA-EP55 系列加入了 Smart 6 PC 系列管理介面,提供了 Smart Dual BIOS 管理、 Smart QuickBoot 加速開機、 Smart QuickBoost 自動超頻、 Smart Recovery 系統還原、 Smart Recorder 系統監察及 Smart TimeLock 系統功能限制,當 GA-EP55 系列推出時再詳細介紹。

 

GA-EP55 系列繼續加入 Dynamic Energy Saver 2 節能技術,由於 GIGABYTE 的相位是採用 2 相串聯的 Virual Phase 設計,因此頂級版本 GA-EP55-UP5 將支援 12 檔位節能, GA-EP55-UP4D 則支援 6 檔位節能。

 

GA-EP55 系列強化了 Smart TPM 及 Smart Dual Lan 功能,前者是 2048Bit 硬體金鑰加密技術,可為用家提供高規格的資料保密技術,上代支援把金鑰存放在 USB Drive 作為認証方法之一,今代加入了 Bluetooth Cellphone 加密技術,存取資源可以採用手機的 Bluetooth 作認証。

 

Smart Dual Lan 除了支援 Teaming 技術令頻寬提升至 2Gbps 外,更支援 Failover 技術,當其中一組 Lan Chip 發生錯誤,用家不用插拔下系統會自動跳至 Lan Chip 2 。

 

下一代 GA-EP55 全線系列中加入 SATA 3.0 規格支援,採用 Mavell 推出的 SATA 3.0 晶片, GA-EP55-UD5 、 GA-EP55-UD4P 及 GA-EP55-UD4 則提供四組 SATA 3.0 接口,其餘則提則兩組 SATA 3.0 接口,最高頻寬達 6Gb/s ,為未來過渡至 SATA 3.0 世代作好準備。

 

EP55

 

GIGABYTE GA-EP55-UP4D 預覽

 

P55
GIGABYTE GA-EP55-UD4P Rev 0.1 版本工程樣本

 

P55P55
( 左 ) Intel P55 系列單晶片   ( 右 ) Intel LGA 1156 處理器接口

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( 左 ) 非頂級型號亦升級至 12 相位供   ( 右 ) Brianwood 模組接口,但 P55 並不支援,僅為測試用途

P55P55

( 左 ) 支援雙 PCI-E 繪圖接口及 PCI-E x4 接口   ( 右 )  支援 DES 節能技術

P55P55
( 左 ) 支援 6 組 SATA 2 及 4 組 SATA 3 接口   ( 右 )  工程樣本焊空了 Mavell SATA 3 晶片

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