2009-10-05
2010年NAND Flash市場或出現缺貨
預估全球容量產出成長率高達81%
文: Kopo Ko / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

隨著全球經濟可望在 2010 年復甦,明年各種 NAND Flash 的終端應用產品的出貨量也將轉為成長,市調機構 DRAMeXchange 表示,未來手機、 SSD 、記憶卡將內建更高容量 NAND Flash ,預估 2010 年全球 NAND Flash 將出現缺貨,需求的位元產出將比今年成長 81% ,達到 109.86 億萬 GB 。

 

DRAMeXchange 預期,明年 MP3 記憶卡及 UFD 等的 NAND Flash 的傳統應用產品的內建容量也將會持續提高,新的應用領域也將為 NAND Flash 市場帶來新的成長動力,例如 : 智能型手機的出貨量將持續成長,且將搭配更高的 NAND Flash 內建容量,而供應商也將更積極的推廣 SSD 在各種電腦相關的應用領域。

 

就 NAND Flash 供給面而言,目前多數 NAND Flash 供應商多處在由虧轉盈的階段,許多供應商將以 2010 年市場需求的成長率,來做為明年產出成長目標參考,以使 NAND Flash 市場能維持在較平衡的狀態,供應商目前對明年的擴產計劃仍多傾向保守的態度,預期 2010 年 NAND Flash 晶圓總產出量將僅比 2009 年微幅增加,估計明年的資本支出仍將以製程技術升級為主。

 

由於多數供應商於今年第四季才逐漸增加 3xnm 製程技術產量,集邦科技預期,這些供應商量產 2xnm 製程技術的時程將落在明年下半年,另外供應商也是自第四季才正式量產 3-bit/cell MLC 的產品,估計在經過一段推廣期及產品技術改良後,出貨比重才可望在明年下半年明顯提高,集邦科技估計, 2010 年全球 NAND Flash 供給的位元產出,將比今年成長 79% ,達到 107.59 億萬 GB 。

 

就供需缺口的狀況而言, 2010 年由於供應商節制產出成長,及終端應用需求回溫,預估明年的 NAND Flash 全年供需缺口可望由今年較平衡的狀況,轉為偏緊,約 2% 的供需缺口,但季節性因素仍會影響季度的供需缺口,預期明年上半年 NAND Flash 市場因淡季因素,由今年下半年的供給偏緊轉為的小幅供過於求,但明年下半年可望因為旺季效應,轉為供給吃緊的狀況,未來價格的波動性將會趨緩,而以反應製程技術提升的成本下降效益為主。

 

Micron

 

 

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